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内存条上文字及字母标识的含义 一、Samsung内存 具体含**释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内??，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 二、Hynix(Hyundai)现代 ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片) ·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=MT；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) ·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度) 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY**********X 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V VDDQ=1.8V) 4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系