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半导体管特性图示仪使用)

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 作者:本站??来源:??发布时间:2009-3-9 9:12:09??[ HYPERLINK /user/favorite.asp?action=addtopic=半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 收 藏] [ HYPERLINK /article/comment.asp?ArticleID=28148 \t _blank 评 论 HYPERLINK /user/favorite.asp?action=addtopic=半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 ] 半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体 管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 (一) HYPERLINK /soft/69/2009/2009030617919.html 半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、 输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、 漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢?最早是利用图4-1 的 伏安法对晶体管进行逐点测试,而后描出曲线,逐点测试法不仅既费时又费力,而而且 所得数据不能全面反映被测管的特性,在实际中,广泛采用半导体特性图示仪测量的晶 体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路 用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2 (a) 中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC, 用图4-2(b)所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐 点改变基极电流的可变电压EB,将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上, 这样一来,荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。 1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时,图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源, 由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器 的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经 取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大 加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水 平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路 输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上 光点的位置为坐标原点。 在 0-t1,这段时间内,集电极扫描电压 UCS 处于第一个正弦半波周期。 图4-5 晶体管输出特性曲线的显示过程 UCE开始由零逐渐增大到最大值,然后再由最大值逐渐减少到零,它在水平方向上影 响电子束,由于这段时间内iB=IBO=0,ic=ICEO,其大小决定于被测晶体管本身的 特性,且随UCE而变,它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。因为UCE在水平方 向上和ic 在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的,二者作用的结果,使光点从 坐标原点出发,沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大,再由最大沿原路逐渐 回到坐标原点,这条曲线(光点移动的轨迹)就是iB=IBO=0 所对应的那条输出特性曲 线。 在正弦半波的第一个周期刚刚结束,第二个周期刚开始的t1 时,ib值从零跳变到IB1。 在t1-t2这段时间内,集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期,它在水平方 向上对电流束的影响与0-t1的一样,由于t1-t2这段时间内iB = IB1值恒定不变,所以ic 的大小仅取决于管子本身的特性和U CE 的变化,并在垂直方向上使电子束发生 相应的偏转,UCE和ic对电子束作用的结果,使得荧光屏上的光点从坐标原点出发,沿 着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大,在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。 这条曲线就是ib=IB1所对应的输出特性曲线。 在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束,第三个周期刚开始的t2时刻,ib值从IB1跳 变到IB2。 在t2-t3这段时间内,由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描,且ib=IB2,光点移动的轨迹ib=

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