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第5章 集成电路设计与制造工艺概述;;;一、集成电路设计;;;; 根据设计内容不同分类;版图与制版;版图与棍图; NMOS晶体管版图; N阱工艺CMOS反相器版图;版图设计规则;;二、集成电路制造基本工艺;1.薄膜制备;1.薄膜制备;金属化工艺;(a)淀积一层金属铝;氧化工艺;2.光刻与刻蚀(图形转换); 3.掺杂;2、离子注入
离子注入掺杂分为两个步骤:离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面,在掺杂窗口处,杂质离子被注入硅本体,在其他部位,杂质离子被硅表面的保护层屏蔽,完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。
由于高能粒子的撞击,导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤,在离子注入后要进行退火处理,根据注入的杂质数量不同,退火温度在450℃~950℃之间,掺杂浓度大则退火温度高,反之则低。在退火的同时,掺入的???质同时向硅体内进行再分布,如果需要,还要进行后续的高温处理以获得所需的结深和分布。
;自对准工艺;4.热处理; N阱工艺中的闩锁效应(Latch-Up);闩锁效应电路模型
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