基础电子技术习题试卷.doc

基础电子技术  PAGE 67 《基础电子技术基础》 习题册 电子技术教研室 编 班级： 姓名： 哈尔滨工业大学 2002年1月 第一章 基本放大电路 1-1 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 ，它的两个主要参数是 和 。 5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 7．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 9．场效应管属于 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 控制型器件。 10．当温度升高时，双极性三极管的β将 ，反向饱和电流ICEO 正向结压降UBE 。 11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。 12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 和 ；饱和区，偏置为 和 ；截止区，偏置为 和 。 13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 1-2 设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。 图1-2 1-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。 图1-3 1-4 在如图1-4所示的基本放大电路中，设晶体管的β=100，UBEQ=-0.2V，rbb′=200Ω，C1，C2足够大。 1．计算静态时的IBQ，ICQ和UCEQ。 2．计算晶体管的rbe的值。 3．求出中频时的电压放大倍数Au。 4．若输出电压波形出现底部削平的失真，问晶体管产生了截止失真还是饱和失真？若使失真消失，应该调整电路中的哪个参数？ 5．若将晶体三极管改换成NPN型管，电路仍能正常工作，应如何调整放大电路，上面1~4得到的结论是否有变化？ 6．用EWB仿真验证上述结论。 图1-4 1-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。 a：增大、b：减小、c：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流Ic减小，则Rb2应 。 2．Rb2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。 3．Re在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。 4．从输出端开路到接上RL，静态工作点将 ，交流输出电压幅度要 。 5．Vcc减小时，直流负载线的斜率 。 图1-5 1-6 电路如图1-5所示，设VCC=15V，Rb1=20kΩ，Rb2=60Kω，RC=3kΩ，Re=2kΩ,电容C2，C2和Ce都足够大，β=60，UBE=0.7V，RL=3kΩ 1．电路的静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。 2．电路的电压放大倍数