第四章内存207026920101025104813.pptVIP

第四章 内部存储器;第4章 内部存储器;4.1 存储系统概述;微机存储系统的层次结构 ;4.2 内部存储器的作用及其分类;4.2 内部存储器的作用及其分类;电擦除可编程只读存储器(EEPROM);4.2.3 内存的主要技术指标;4.2.3 内存的主要技术指标;4.3 半导体存储器的组成及工作原理;4.3 半导体存储器的组成及工作原理;读出操作： 输入条件：字选线高电平 T5和T6导通，如果存储单元原来保存信息是 “1”，D线则“读出”了内部状态（A点电平）则为高，否则为低。;SRAM的结构;SRAM的结构;DRAM DRAM (Dynamic RAM)即动态RAM，是RAM家族中最大的成员，通常所讲的RAM即指DRAM. DRAM由晶体管和小电容存储单元组成。每个存储单元都有一小的蚀刻晶体管，这个晶体管通过小电容的电荷保持存储状态，即“开”和“关”。电容类似于小充电电池。 它可以用电压充电以代表1，放电后 代表0，但是被充电的电容会因放电 而丢掉电荷，所以它们必须由一新 电荷持续地“刷新”。;动态RAM的结构 ;4.3.2 只读存储器ROM;掩膜ROM;一次可编程ROM(PROM) ;可擦除的可编程只读存储器（EPROM） ;紫外线可擦除EPROM（UVEPROM）;电可擦除只读存储器EEPROM;EPROM、EEPROM和Flash Memory的区别： 擦除方式： EPROM：紫外线、离线，整片 EEPROM：电、在线、字节（写命令） Flash Memory：电、在线、页或块（擦除命令） 页(Page)：若干个相邻的字节 块(Block) ：若干个相邻的页 擦除速度： EPROMEEPROMFlash Memory 集成度： EEPROMEPROMFlash Memory;4.3.3 内部存储器的组成;4.3.3 内部存储器的组成;4.4 RAM的基本工作方式 ; CPU首先输出内存的数据地址信号，数据地址信号经过存储器控制芯片转换后再送给内存电路。存储器控制芯片的功能，是将CPU输出的地址信号转换成行信号和列信号。经过这个控制芯片以后，就将内存中的行信号与列信号的地址位置确定了。确定地址位置后，就可以将存储单元的数据从存储器中取出。数据取出以后经过缓冲放大器，送回存储器的控制芯片。存储器的控制芯片收到这个数据以后，再根据程序的指令传输给CPU。这样就可以通过数据总线将数据内容传送过来，满足了CPU调用数据的要求。这也是CPU与存储器之间的地址和数据的传输关系。;列地址解码器;;4.5.1 逻辑Bank与芯片容量表示方法;4.5.1 逻辑Bank与芯片容量表示方法;4.5.2 内存条（模组）的结构及工作原理;4.6 主流内存条介绍;内存芯片; FPM DRAM ; EDO DRAM ; SDRAM ; DDR SDRAM内存 ; DDR SDRAM内存 ; DDRⅡ 内存; DDRⅡ 内存;;各个版本的DDR-DDR2性能对比; DDRⅢ 内存; DDRⅢ 内存; Rambus内存 ;RDRAM与传统SDRAM的比较 ;4.6.8 内存接口类型 ;4.6.8 内存接口类型 ;4.6.8 内存接口类型 ;不同内存接口 ;4.7 内存相关技术;4.7.2内存参数的及优化化;4.7.2内存参数的及优化化;4.7.2内存参数的及优化化;4.7.2内存参数的及优化化;4.7.3 内存技术规范及标注格式