半导体物理A卷模拟研讨.doc

PAGE  河海大学常州校区考试试卷 第  PAGE 8 页（共5页） 河海大学常州校区考试试卷 第  PAGE 1 页（共5页） 2010－2011学年第二学期《半导体物理学》课内考试卷（A卷） 授课班号 年级专业 学号 姓名 题号一二三四五总分审核题分得分 得分评阅人 一、选择题 1．电子在晶体中的共有化运动指的是 。 A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体元胞中出现的几率相同 C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各元胞对应点有相同的相位 2．如果n型半导体的导带极值在[111]轴及对称方向上，当磁场沿[110]方向时，测的共振吸收峰的个数是 。 A．1个 B． 2个 C．3个 D． 4个 3、某一半导体掺施主杂质浓度ND=5ⅹ1014/cm3,当温度为500K时，ni=7ⅹ1014/cm3.则电子和空穴的浓度分别近似为 。 A. n0 =1.2ⅹ1014/cm3 p0=1ⅹ1015/cm3 B. p0=4ⅹ1014/cm3 p0=5ⅹ1015/cm3 C. n0=5ⅹ 1014/cm3 p0=1ⅹ1015/cm3 D. n0=1ⅹ 1014/cm3 p0=7ⅹ1015/cm3 4．有效复合中心的能级通常都是靠近 。 A． EC 　 　　B．EV 　　　　　Ｃ．Ｅi 　　　　　 D．EF ５．简并半导体是指 的半导体。 A．（EC-EF）或（EF-EV）≤0 B．（EC-EF）或（EF-EV）≥０ Ｃ．能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D．导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 6．在GaAs中熔入GaP可使其 。 A．禁带变宽 B．增加电子陷阱　　 Ｃ．禁带变窄　　　Ｄ．增加空穴陷阱 ７．本征半导体是指　　　　　　　　的半导体。 Ａ．不含杂质与缺陷 B．电子密度与空穴密度相等 Ｃ．电阻率最高　　　　　　　Ｄ．电子密度与本征载流子密度相等 ８．若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定　　　　　　。 Ａ．不含施主杂质　　　　　Ｂ．不含受主杂质 Ｃ．不含任何杂质　　　　　Ｄ．处于绝对零度 ９．若浓度为Nt的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，起电子和空穴的俘获系数分别为rn和rp　，则小注入寿命为　　　　　　　　。 Ａ．1/Ntrp　 B. 1/Ntrn C. 1/Ntrp+1/Ntrn D. 1/Ntni 10.半导体中的载流子的扩散系数决定于其中的 。 A．散射机构 B．复合机构　Ｃ．杂质浓度梯度　　Ｄ．表面复合速度 11.重空穴指的是 。 A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D．自旋—轨道藕合分裂出来的能带上的空穴 12．硅中掺金的工艺主要用于制造 的器件。 A．高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率 13.根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率 。 A． 等于空穴占据（EF+KT)的几率 B．等于空穴占据（EF -KT)的几率 C． 大于电子占据EF的几率 D． 大于空穴占据EF的几率 14.公式μ=qτ/m﹡中的τ是载流子的 。 A．渡越时间 B．寿命　Ｃ．平均自由时间　　Ｄ．扩散系数 15．3个硅样品的掺杂情况如下： 甲.含镓1ⅹ1017/cm3 　乙.含磷1ⅹ1017/cm3 　　丙.不掺杂 这些样品在室温下费米能级由底到高的(以EV为基准)的顺序是 。 A．甲乙丙 　 B．甲丙乙　　Ｃ．乙丙甲　　Ｄ．丙甲乙 得分评阅人 二、 填空题 1、　有效质量的意义是 2. 半导体的状态密度意义为 3．影响半导体散射的两种机制为 及 4．半导体中载流子电场作用下的运