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半导体工艺_图形曝光与光刻
图形曝光与光刻;图形曝光与刻蚀;光学图形曝光-洁净室;;光刻机;;;;;;;掩模版;;;;抗蚀剂;;;;;图案转移;;分辨率增加技术;;新一代图形曝光技术;电子束图形曝光;;;;SCALPEL;;电子束抗蚀剂;邻近效应;极远紫外光图形曝光(EUV);;X射线图形曝光(XRL);;;离子束图形曝光;不同图形曝光方法的比较;;;湿法化学腐蚀(WCE);;硅的腐蚀;;;;二氧化硅的腐蚀;氮化硅与多晶硅的腐蚀;铝腐蚀;;砷化镓的腐蚀;干法刻蚀;干法刻蚀;基本等离子体理论;刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制;;等离子体探测;终点控制;;反应等离子体刻蚀技术与设备;;反应离子刻蚀(RIE);电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀机;其他高密度等离子体刻蚀机;;集成等离子体工艺;;反应等离子体刻蚀的应用;硅沟槽刻蚀;;多晶硅与多晶硅化物栅极刻蚀;介质刻蚀;金属导线刻蚀-Al;Cu;;W;
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