桂林斯壮微电子有限责任公司.PDF

桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2333 SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型 MOS 场效应管 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic Symbol Rat Unit 特性參數 符號 額定值 單位 Drain-Source Voltage BVDSS -12 V 漏極-源極電壓 Gate- Source Voltage VGS +8 V 栅極-源極電壓 Drain Current (continuous) ID -5.1 A 漏極電流-連續 Drain Current (pulsed) IDM -20 A 漏極電流-脉冲 Total Device Dissipation 總耗散功率 PD 1250 mW TA=25℃環境溫度爲 25℃ Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GM2333=2333 桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2333 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit 特性參數 符號 最小值 典型值 最大值 單位 Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS -12 — — V 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V) Gate Threshold Voltage VGS(th) -0.4 — -1 V 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS) Diode Forward Voltage Drop VSD — — -1.2 V 内附二極管正向壓降(IS= -1A,VGS=0V) Zer