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微电子技术综合实践N阱CMOS;一．设计指标要求1.任务：n阱;3. 结构参数参考值：p型硅衬;4．设计内容 （1）MOS管;二．MOS器件特性分析MOS器;无标题;2.PMOS参数设计与计算;无标题;三．工艺流程分析;1.衬底制备：CMOS集成电路;2.初始氧化：N阱区掩蔽氧化介;3.阱区光刻：采用典型的常规湿;4.N阱注入：N阱注入是该N阱;5.扩散，达到N阱所需阱深。6;9.有源区光刻：第二次光刻。分;10.场区氧化：有源区以外统称;11.光刻法去除氮化硅和SiO;12.栅氧化：采用干氧氧化，结;13.淀积多晶硅（CVD多晶硅;14.光刻多晶硅，第四次光刻，;15.光刻N沟MOS管区域胶膜;（2）. 然后利用干法刻蚀工艺;17.光刻P沟MOS管区域胶膜;19.淀积磷硅玻璃PSG。;20.引线孔光刻，第七次光刻。;21.真空蒸铝（PVD）22.;23.淀积钝化保护层24.压焊;四．薄膜加工工艺参数计算1.形;（2）退火，推进：离子注入后采;无标题;2.氧化层厚度的计算及验证干氧;（1）30min干氧生成的Si;（3）30分钟干氧生成的SiO;3.多晶硅栅膜4.生长600?;5.生长场氧6.生长334?的;7.氮化硅8.磷硅玻璃;五． 工艺实施方案工艺步骤工艺;7氮化硅膜淀积作为光刻有源区的;13多晶硅淀积淀积多晶硅层厚度;20七次光刻刻金属化的接触孔普
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