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3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料; 3.1.2 半导体的共价键结构; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 3.1.4 杂质半导体; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 3.2.2 PN结的形成; 3.2.2 PN结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。 ; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.3 PN结的单向导电性; PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结???:PN结具有单向导电性。; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.5 PN结的电容效应; 3.2.5 PN结的电容效应;3.3 二极管;3.3.1 二极管的结构;(a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号 ; 3.3.2 二极管的V-I 特性; 3.3.3 二极管的主要参数;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2.模型分析法应用举例;2.模型分析法应用举例;2.模型分析法应用举例;end;3.5 特殊二极管;3.5.1 齐纳二极管;(1) 稳定电压VZ;3. 稳压电路;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件
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