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集成电路工艺
－硅片制备;1、体硅材料的制备
2、SOI材料的制备;晶体结构;单晶结构;多晶结构;无定形（非晶）结构;硅的金刚石结构图
晶胞;晶向;100 晶面;硅片表面腐蚀坑;缺陷图解;层 错;为什么是硅?;Source: http://www.shef.ac.uk/chemistry/web-elements/nofr-key/Si.html;从沙子到硅片;从沙子到硅片-2;从沙子到硅片-3; Heat (1700 ;Si + HCl
? TCS ; Heat (1100 ;电子级硅;四、多晶硅转变成单晶硅; （1）拉单晶: CZ 方法;CZ 拉单晶图示;（2）区熔法－FZ Method;两种方法的比较;五： 掐头去尾、 径向打磨、 切面、 或者制槽;晶向指示标记;六、硅片切割 Wafer Sawing;七、硅片倒角 Edge Rounding;八、抛光;九、湿法腐蚀;十、化学机械抛光;200 mm 硅片厚度和表面粗糙度变化;硅片参数;十一 外延;1、体硅材料的制备
2、SOI材料的制备;从体硅衬底到SOI衬底 From Bulk to Silicon-On-Insulator (SOI);SOI 衬底上的CMOS;SOI衬底的制备方法;氧注入 SOI技术（SIMOX） －Separation by implantion of oxygen;SIMOX技术的几个关键因素;（1）氧离子注入剂量;（2）衬底温度;（3）退火条件;Date;;（1）键合＋腐蚀 （BE－SOI）
Bonding and Etch－Back;键合的基本过程; 阶段一（室温～300?C）：羟基团（OH－）之间的氢键数量增加、键合面积和强度增加。
阶段二（300～800?C）：氢键逐渐被Si－O－Si键代替，发生如下聚合反应：
（Si－OH）＋（HO－Si）＝ （Si－O－Si）＋H2O
400 ?C 左右聚合反应完成。生成的水蒸气导致界面产生空洞。
阶段三（800?C以上）：空洞因水蒸气与硅反应生成SiO2而逐渐消失，超过1000 ?C以后，相邻原子相互反应形成共价键，键合完成。;背面腐蚀减薄过程;氢诱发了硅内部起泡层;Smart－Cut SOI技术优势;总 结
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