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四光電三A 4990B060 張育維 期中
1.為什麼LED通常都操作定電流模式,而不是定電壓模式?
VF上升,IF會急速上升導致LED燒毀,所以通常操作定電流
2.半導體LED結構多由PN接面所構成,而主要的發光區域,相當於PN接面結構的那個區域?該區域為何會產生內建電場,請說明之。
空乏區,P型電位高,N型電位低
3.LED磊晶結構的最外層,通常會沉積Contact Layer(接觸層),該接觸層應該具備那些特性,並希望可以達到什麽功能?
電流會選擇阻值較小的地方進行,由於P-GaN阻值較大,電流會集中在電極附近,降低發光效率,故沈積接觸層的話,可使電流分布均勻,提高出光率。
4.通常發光波長較短的LED,會具有較高或較低的順向偏壓?為什麼?
較高的順向偏壓,波長較短,能隙較大。
5.檢測LED的反向偏壓特性,通常都是給電壓檢測電流,或者給電流檢測電壓?為什麼?
早期LED通過逆向電流量崩潰電壓
AlGaInP、GaN材料均用MQW結構,磊晶厚度很薄,100A會造成材料損傷
所以要通VR量IR,IR須小於10μA
6.請列出LED逆向偏壓特性不佳的原因(至少4個)。
材料品質不良、磊晶品質、封裝不良、使用不當
7.如何檢測出LED是否遇有閘流體(Thyristor)特性?又閘流體特性是如何產生的?
(1).通小順偏電流 ex.100A 量測VF?,VF太大,是不良品
(2).當LED磊晶層厚度不平均,因不同位置N、P層交錯產生PNPN組態
8.齊那二極體通常如何與LED電路搭配(怎麼接-電性)?又通常用在保護電路,以抵抗那種外界的衝擊?
穩壓二極體可以應用於LED發光二極體上,比如在製作大功率LED時,我們可以並聯一個穩壓二
極體抗ESD,或串聯一個穩壓二極體,這樣能夠幫助穩壓,避免LED元件被電流破壞
9.請說明半導體、絕緣體、半導體 能帶結構的差異。
10.請說明同質結構、異質結構的特性與差異?
差異: 同質結構是以相同材料但摻雜不同雜質所形成的PN接面,發光效率差、發光波長難調整
異質結構是以不同材料相接所形成,發光效率較好
特性: 同質結構是單純外加順向偏壓讓多數載子通過能障並複合
異質結構是以多個量子井把載子侷限住,以提高複合率
11.請說明雙異質結構、量子井結構、超晶格結構的特性與差異?
12.為什麼部分LED結構會加入電子阻障層?請說明之。
阻止主動區的載子逃離,而降低復合機率
13.具有上下DBR包夾結構的LED,可以具有共振特性,請解釋何謂DBR,並說明DBR的功能與限制。
DBR(Distributed Bragg Reflector)反射層
布拉格反射鏡
DBR 主要由兩種不同的材料所組成,這兩種材料必須具備一定的折射率差異與約1/4 光學波長厚度
14.請列舉LED的主要應用(至少5種)。
15.LED磊晶需要考慮到材料間的晶格匹配,為什麼?除了晶格匹配需要考慮外,還需要考慮到那些材料特性?
1.晶格 = 原子有規則的排列
晶格匹配(lattice match)絕大多數是描述磊晶時,磊晶層與基板間,晶格常數的相差的程度
晶格常數差異大會造成缺陷
2.考慮到材料的能隙大小
16.目前世界主流的MOCVD廠商有德國的Aixtron與旗下在英國的Thonmas Swan,美國的Veeco,日本的Nippon Sanso,他們的設備各自具有那些特性-優勢或劣勢。17.如何增加LED的光取出效率,請舉出至少2種技術
18.請舉出LED目前主要的應用有哪些,至少列出5個主要項目。
馬路街道照明、交通運輸工具、照明、背光源、漁業用集魚燈、植物生長
19.LED有哪些封裝型式,請列出至少4種。
DIP、SMD、COB、WLP
20.LED封裝主要有哪些製程,請依照次序列出並簡要說明。
21.有哪些參數可以量化評價LED的良窳?請列出至少5種參數。
21.如何去量化及評判LED優劣:波長、色度、色溫、演色性、照度、發光效率
2.能隙與波長如何換算?請列出換算公式。
22.1240/Eg(eV)=λ 1240Eg(eV)=λ
23.請定義並解釋下列名詞:相對色溫、演色性、色度座標、色域。
23.
(1源顏色的一種量度單位。)相對色溫:定義: 色溫是用來度量光或光
學術說法︰將「理想黑體」不斷加熱,令它發出與光源相同色光時的溫度。
(2)演色性:(1)定義:物體在此光源下所呈現出物體原色真實程度的百分比,範圍︰0~100(數值越高越能呈現出物體真實原色)
(3)色度座標:是一個衡量某一光源發出的光的顏色的系統
(4)色域:(1)定義:以色度圖分辨RGB,(2)色域並非越
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