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电 子 线 路;序;课程内容:
1.器件:
线性器件:电阻、电容、电感。
非---:二极管、三极管、场效应管、集成块。
I I
2.电路: 放大器 运算电路
如何学:
预习--上课--作业--实验--复习--考试
不旷课 及时
;第一章 晶体二极管;第一章 晶体二极管;第一章 晶体二极管; 1.1 半导体物理基础知识;1.1.1 本征半导体;本征激发和复合;三.热平衡载流子浓度;1.1.2 杂质半导体; 在本征半导体中掺入少量的三价元素而形成的杂质半导体.
如: 硼\镓\铟 受主杂质 杂质浓度Na; 热平衡条件: 当温度一定时,两种载流子的热平衡浓度值
的相乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方.
n0p0=(ni)2 其中: n0 电子浓度
p0 空穴浓度
ni 本征载流子浓度
电中性条件: 半导体中的正电荷量=负荷电量.
N型: n0=Nd+p0 ≈Nd
P型: p0 =Na+ n0≈ Na
;结论;
漂移运动: 半导体在电场作用下产生的定向运动
扩散运动: 半导体在浓度差的作用下产生的定向运动
漂移电流: 载流子在电场作用下作定向运动而形成的电流
载流子的迁移率μ
扩散电流:载流子在浓度差作用下作定向运动而形成的电流
称为扩散电流. 载流子的扩散系数 D
;1. 漂移与漂移电流; 半导体的电导率;扩散运动:载流子在浓度差作用下的运动。
扩散电流:所形成的电流。;小结;1.扩散运动----扩散电流ID
2.漂移运动----漂移电流IT 两者达到动态平衡,形成空间电荷区.;开始因浓度差;P+;2. 反向特性;;三、阻挡层宽度 与掺杂浓度成反比;1.2.2 PN结的伏安特性;3. 击穿特性 ; T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。;二. 温度特性; 势垒电容 CT :势垒区内空间电荷量随外加电压变化
产生的电容效应。 ; 变容二极管;小结;1.3 晶体二极??电路的分析方法;1. 伏安特性曲线模型:实测得到;2. 数学模型——伏安特性方程式;2;I=IS(eV/VT-1);;(4)小信号电路模型;小信号电路模型;1.3.2晶体二极管的分析方法;2. 图解法;+
-;例 2 设二极管是理想的,判断二极管是否导通,并求 VAO 值。;4.交流小信号电路法;;一. 整流电路;一. 整流电路;例 3 设二极管是理想的,vi = 6sin?t (V),试画 vo波形。;2. 双限幅电路;三.稳压电路;D;稳压电路模型 ;双向限幅特性;;;
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