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电工与电子技术A(2);成绩:期终考试占70%,
平时(作业与考勤)占20%,
实验占10%。;电子技术;第一章 半导体器件与放大电路;;1、半导体的导电特性:;2、 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;3、杂质半导体;P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。;二、PN结极其单向导电性;二、PN结极其单向导电性;1、PN结的形成;2、 PN结的单向导电性;2. PN 结加反向电压(反向偏置);PN 结变宽; 1. PN结的特性是
(a. 单向导电性 b.正向导通 c .反向截至);第二节 二极管;一、 基本结构;阴极引线;二、伏安特性;三、 主要参数;三、 主要参数;二极管的单向导电性; 四、应用举例 ;电路如图,求:UAB;两个二极管的阴极接在一起
取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V
ui 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui;第三节 特殊二极管;UZ;2、 主要参数;3、稳压电路 ;例:右图所示电路,UZ=8V,IZM=18mA,US=20V,
问R=500Ω是否合适,应为多少? ;二、光电二极管; 当光照射二极管的PN结时,将成对的产生自由电子和空穴,使少子浓度提高,使反向电流增加,光的变化转变为电流的变化。
工作时加反向电压,反向电流随光照强度的增加而上升。;三、发光二极管;三、发光二极管;第四节 晶体管;N;基区:最薄,
掺杂浓度最低;二、电流放大作用;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;三、特性曲线; 发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;四、主要参数;例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA;
在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;五、温度对晶体管参数的影响;例:图示电路,试判断开关S分别接在A、B、C三点时,晶体管的工作状态。;例:图示电路,试判断开关S分别接在A、B、C三点时,晶体管的工作状态。;例:已知晶体管工作在放大状态,其三个极的电位分别是:⑴、a 10V, b 6.6V , c 6V。 ⑵、a 12V b 11.7V, c 6V。指出abc各代表什么极?晶体管是什么型号的?什么材料制成?;六、光电晶体管;光电耦合电路
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