北京大学出版社外延选读.ppt

第七章 外延;外延定义;外延分类;硅气相外延的基本原理-硅源;近晶面外延生长示意图;结论;化学反应过程;生长速率与温度间的关系;生长速率与温度间扩散关系;生长速率与温度间的关系;生长速率与反应剂浓度的关系;生长速率与气体流速的关系;衬底晶向对生长速率的影响;外延层中的杂质分布;外延层中的杂质分布-掺杂原理;外延层中的杂质分布-扩散效应;外延层中的杂质分布-自掺杂效应;4.外延系统应当工作在低压条件下(气态的杂质原子在低压下的扩散速度比常压情况下高,由衬底外逸的大部分杂质就可以被主气流带出反应室) 5.可以使用经过离子注入的埋层来降低衬底表面的杂质浓度. 6.可以在埋层或衬底上先生长未掺杂的薄膜避免衬底中的杂质外逸,之后再进行原位掺杂. 7避免在高温下采用HCl对衬底进行腐蚀,或在腐蚀后用低温气流除去因腐蚀外逸的杂质.;低压外延;低压外延;低压外延异于常压外延???参数影响;低压外延异于常压外延的参数影响;选择外延;选择外延;选择外延的三种类型(1);选择外延的三种类型(2);选择外延的三种类型(３);选择外延;横向超速外延（ＥＬＯ）;硅烷热分解法外延;硅烷热分解法外延;硅烷热分解法外延;SOS技术;SOS技术;分子束外延(MBE);分子束外延(MBE);外延层的缺陷;层错;层错法测量外延层的厚度;层错法测量厚度应注意的问题;图形漂移和畸变;外延层电阻率的测量