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电力电子复习回顾 第二章 电力电子器件 一、电力电子器件概论 1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（　B 　） A 全控型器件 B 半控型器件 C 不控型器件 D 电压型器件 2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件 3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C ) A 二极管 B 晶闸管 C 电力晶体管 D 逆导晶闸管 二、功率二极管 1、功率二极管的封装形式有 螺栓 型和 平板 型， 平板 型的散热效果好。 2、ZP400表示 功率二级管的额定电流为400 A。 3、常用的功率二极管有三种类型： 普通二极管、 快恢复二极管 、 肖特基二极管 。 三、晶闸管（SCR） 1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_ 时，才能使其开通。 2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )。 A.干扰信号 B.触发电压信号 C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号 3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( ) A. 安全区 B. 不触发区 C. 可靠触发区 D. 可触发区 4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( ) A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大 C.阳极电压过高 D.电阻过大 4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( )。 A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低 D.需提高 5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至______以下。 7、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_______UBO。 8、晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_____。 9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（　　　）。 A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流 D.额定电流 10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( )。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSm D. 额定电流 11、对于同一个晶闸管，其维持电流IH_______擎住电流IL。 12、KP100-12表示额定电流 A，额定电压 V的普通型晶闸管。 13、晶闸管电流的波形系数定义为( ) A. B. C.Kf =IT（AV）·ITm D.Kf =IT（AV）-ITm 14、在IT(AV)定义条件下的波形系数kf为( ) A. π B. C. D.2π 四、门极可关断晶闸管 1、门极可关断晶闸管是一种__________层半导体结构的三端器件。 2、要关断GTO，则需( ) A 在门极加正脉冲信号 B 在门极加负脉冲信号 C 加强迫关断电路 D 加正弦波信号 3、GTO的电流关断增益βoff=( )。 A. B. C. D. 五、功率晶体管 1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( ) A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( ) A.从高电压小电流向低电压大电流跃变 B.从低电压大电流向高电压小电流跃变 C.从高电压大电流向低电压小电流跃变 D.从低电压小电流向高电压大电流跃变 3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( ) A.4条 B.3 C.5条 D.2条 4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的( ) A. 存储时间 B. du/dt C.