ESD静电放电保护元件.pdf

ESD ElectroStatic Discharge Protection Devices 静电放电保护元件 1. 结构 专用于静电放电保护的过压保护器件，存在分立式和阵列式两种，内部主要 是有 TVS 的阵列构成。 2. 特点 专用于 ESD 防护的限压型过压保护器 反应速度小于 0.5ns ； 导通击穿电压低； 体积小，集成度高，可以同时保护多条数据线路； 一般电压规格有 2.8V 、3.3V 、5V 、12V 、15V 、24V 、36V ； 电容值低，可达 0..4pF ，是理想的数据线保护器材； 漏电流低，一般在几个 μA 甚至更低； 封装多样化有 SOT-323 SOT-23 SOT-143 SOT-353 SOT-363 SOT23-6L SOT23-6L SOIC-08 SOIC-16 SOD-923 SOD-723 SOD-523 SOD-323 SOD-123 。 ESD U-I 特性曲线 3. 技术参数 PPPM （Peak Pulse Power 额定脉冲峰值功率）：可施加的不引起 ESD 器件失 效的脉冲峰值功率最大值。 VRWM （Reverse Stand-off Voltage 截止电压）：ESD 元件无明显动作的最大 电压 VBR （Breakdown Voltage 击穿电压）：在规定的脉冲直流电流 IBR 或接近发生 雪崩的电流条件下，ESD 浅见两端的电压 IBR （Breakdown Current 击穿电流）：测试 VBR 大小的脉冲直流电流。 VC（Maximum Clamping Voltage 钳位电压）：施加规定波形的脉冲峰值电流 IPP 时，ESD 器件两端测得的峰值电压 IR（Reverse Leakage 漏电流）：在截止电压 VRWM 下，流过 ESD 器件 I/O 口 的电流。 CJ（Typical Capacitance 典型电容值）：ESD 端口间的极间电容值。 4. 命名方式 SET23A05L02 S：表示电容为标准型，电容值大于 30pF （L：电容值大于 5pF ，小于 30pF ） （U：电容值小于 5pF ） E：表示功率，用 A，B，C，D…依次表示小于 100W ，200W ，300W ，400W…； T23 ：表示封装为 SOT-23 ； A：表示为单向保护（C 表示双向）； 05 ：表示截止电压为 5V ； L02 ：表示对地保护线路数。 5. 封装类型 T32 SOT-323 T23 SOT-23 T14 SOT-143 T35 SOT-353 T36 SOT-363 T25 SOT23-5L T26 SOT23-6L S08 SOIC-08 S14 SOIC-14 S16 SOIC-16 D92 SOD-923 D72 SOD-723 D52 SOD-523 D32 SOD-323 D12 SOD-123 6. 应用