第八章：离子注入是.ppt

第八章：离子注入;8.1 引 言;高能离子轰击（氩离子为例） 1. 离子反射（能量很小） 2. 离子吸附（10eV） 3. 溅射（0.5keV~5keV） 4. 离子注入（10keV） ;离子注入是继扩散之后的第二种掺杂技术，是现代先进的集成电路制造工艺中非常重要的技术。有些特殊的掺杂（如小剂量浅结掺杂、深浓度峰分布掺杂等）扩散是无法实现的，而离子注入却能胜任。 ;离子注入系统; 离子注入的优点： 1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度 离子注入层的深度依赖于离子能量、杂质浓度依 赖于离子剂量，可以独立地调整能量和剂量，精 确地控制掺杂层的深度和浓度，工艺自由度大。 2. 可以获得任意的杂质浓度分布 由于离子注入的浓度峰在体内，所以基于第1点 采用多次叠加注入，可以获得任意形状的杂质分 布，增大了设计的灵活性。; 离子注入的优点： 3. 杂质浓???均匀性、重复性好 用扫描的方法控制杂质浓度均匀性。 4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行，允许使用不同 的注入阻挡层（如光刻胶）增加了工艺的灵活性。 ; 离子注入的优点： 5. 沾污少 质量分离技术产生没有沾污的纯离子束， 减少了由于杂质源纯度低带来的沾污，另外低温工艺也减少了掺杂沾污。 6. 横向扩散小 离子注入具有高度的方向性，虽然散射会引起一定横向杂质分布，但横向尺度远小于扩散。;离子注入的缺点： 1. 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 使用二氧化硅注入缓冲层 高温退火修复损伤 2. 注入设备复杂昂贵;8.2 离子注入参数;注入能量 离子注入的能量用电子电荷与电势差的乘积来表示。单位：千电子伏特KEV 带有一个正电荷的离子在电势差为100KV的电场运动，它的能量为100KEV;射程、投影射程 具有一定能量的离子入射靶中，与靶原子和电子发生一系列碰撞（即受到了核阻止和电子阻止）进行能量的交换，最后损失了全部能量停止在相应的位置，离子由进入到停止所走过的总距离，称为射程用R表示。这一距离在入射方向上的投影称为投影射程 Rp。投影射程也是停止点与靶表面的垂直距离。 ;投影射程示意图;平均投影射程 离子束中的各个离子虽然能量相等但每个离子与靶原子和电子的碰撞次数和能量损失都是随机的，使得能量完全相同的同种离子在靶中的投影射程也不等，存在一个统计分布。 离子的平均投影射程RP为 其中N为入射离子总数，RPi为第i个离子的投影射程 ;离子投影射程的平均标准偏差△RP为;离子注入浓度分布 LSS理论描述了注入离子在无定形靶中的浓度分布为高斯分布其方程为 ;离子注入的浓度分布曲线 ;离子注入浓度分布的最大浓度Nmax 从上式可知，注入离子的剂量φ越大，浓度峰值越高 从浓度分布图看出，最大浓度位置在样品内的平均投 影射程处;离子注入结深 Xj ;RP和△RP的计算很复杂，有表可以查用;（二）各种离子在光刻胶中的Rp和△Rp 值 (?) ;（三）各种离子在SiO2中的Rp和△Rp 值 (?) ;（四）各种离子在Si3N4中的Rp和△Rp 值 (?);例题： 1. 已知某台离子注入机的束斑为2.0cm2、束流为2.0mA、注入时间为16ms，试计算硼离子（B+）注入剂量。（注：电子电荷q = 1.6×10－19库仑） 2. 在N型〈111〉衬底硅片上，进行硼离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1015cm-3，注入能量：60KEV，注入剂量：5.0E14，试计算硼离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。;1. 已知某台离子注入机的束斑为2.0cm2、束流为2.0mA、注入时间为16ms，试计算硼离子（B+）注入剂量。（注：电子电荷q = 1.6×10－19库仑） ;2. 在N型〈111〉衬底硅片上，进行硼离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1015cm-3，注入能量：60KEV，注入剂量：5.0E14，试计算硼离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。;8.3 离子注入效应;沟道效应 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时（见下图）就发生了沟道效应。; 控制沟道效应的方法 1. 倾斜硅片：保证很短距离发生碰撞 常用方法，一般MOS工艺倾斜7o 阴影效应、横向掺杂、超浅结注入不起作用 2. 缓冲氧化层：离子通过氧化层后，方向随机。 可同时减小离子注入损伤 产生不需要的氧注入 有效性与厚度、注入能量、方向、杂质种类相关; 控制沟道效应的方法 3. 硅预非晶化：高能Si注入提前破坏晶格结构 低能量（1KEV）浅注入应用非常有效 4. 使用