ICP电感耦合缘沫子发射光谱.ppt

ICP 电感耦合等离子体原子发射光谱仪 ;目录;原子发射光谱的原理;原子发射光谱的光源;ICP光谱仪原理;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;试样进样系统;等离子体矩管; 电磁场感应线圈一般以圆铜管或方铜管绕成的2-5匝水冷线圈 ; 功能: 能量传递给等离子气体 频率：27.12 MHz ,40.68MHz 最短的预热时间 (~ 15-20 min.) 功率范围: 700 W - 1700 W; 气体流量的作用;;电磁谱;;1 CCD器件结构 它是以电荷作为信号，通过电荷的存储和转移，来实现信号的存储和转移，这是它的突出特点。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。以下分别说明。 作为CCD的基本单元MOS电容器的 结构如图1所示。在硅片上通过氧 化生成一层SiO2为绝缘层(0.1μm)，再 蒸镀一层小面积金属作为电极，称栅 极，半导体硅(以P型硅为例）作为底 电极，又称衬底。(电容器间隔1μm) 图1 MOS电容器结构示意图; 半导体物理学知识告诉我们，热或光的激发可在半导体内产生电子-空穴对，故半导体载流子有带负电荷的电子，也有带正电荷的空穴。P型半导体里空穴浓度高，为多数载流子，电子浓度少，为少数载流子，N型半导体则相反。 当外界有光信号射入到MOS电容器的P型半导体内时，会产生电子-空穴对，光越强，电子-空穴对越多，这样光的强弱就与电子-空穴对的数量对应起来，信号电荷产生了，光信号就转换为电信号。