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光刻加工与光刻
集成电路加工－ 光刻技术与光刻胶;The most recent scanners are step and scan systems.
Canon FPA-6000AS4 :
ArF (193nm) Scanner with 0.85NA. Overlay precision is ≤ 15nm. ;
光致抗蚀剂概念：
在半导体器件和集成电路制造中，要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层，是运用感光性树脂材料在控制光照（主要是UV光）下，短时间内发生化学反应，使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化；再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”（又称光刻胶） ;集成电路光刻加工过程：;Photo;silicon substrate;l;光学光刻技术的发展; 超大规模集成电路己光刻技术发展趋势;436nm(g线)、365nm(i线）抗蚀剂：;
由重氮萘醌磺酸酯作为感光??的传统光化学反应体系:
;; PS版分辨率：10～12μ（显净3段）; Figure 6: Pattern micrograph with line width of 0.5μm Figure 7: Pattern micrograph with line width of 0.75μm;;
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