第4章主存储器综述.ppt

  1. 1、本文档共95页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第4章主存储器综述

1、存储器概述 外部特性,性能参数,层次结构 2、静态存储器和动态存储器存储单元构成 一位存储单元及存储阵列,多端口SRAM 3、半导体ROM存储器 MROM,PROM,EPROM,EEPROM,FLASH 4、存储器芯片构成以及存储器主要技术指标 5、存储器扩展技术 位、字、字位扩展 ;本章将解决的主要问题 ;4.1 主存储器处于全机中心地位;存储器概述;存储器各个概念之间的关系;4.2 存储器分类;3. 按存储器的读写功能分  只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而 不能写入的半导体存储器。   随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。 4. 按信息的可保存性分  非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。  永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。; ;存储器层次结构; 名 称;4.3 主存储器的技术指标; ?可靠性 主存储器的可靠性通常用平均无故障时间 MTBF (Mean Time Between Failures)来表征。MTBF指连 续两次故障之间的平均时间间隔。显然,MTBF越长 ,意味着主存的可靠性越高, ;4.4主存储器的基本操作;SRAM存储器;主存储器的逻辑组成;SRAM存储器;六管SRAM存储器两种状态;六管SRAM存储器读操作;六管SRAM存储器写操作;X0;64x64 存储矩阵;16×1 bit SRAM;2.SRAM存储器的组成;3.SRAM存储器芯片实例;4.存储器的读、写周期;SRAM存储器时序;静态存储器的写周期;常用典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等。; DRAM存储器;2.单管动态存储元;DRAM的单管存储单元: 读;DRAM的单管存储单元: 写;单管DRAM的存储矩阵; 读操作 行选择线为高电平,使存储电路中的T1管导通,于是,使连在每一列上的刷新放大器读取电容C上的电压值。刷新放大器的灵敏度很高,放大倍数很大,并且能将从电容上读得的电压值折合为逻辑“0”或者逻辑“1”。 列地址(较高位地址)产生列选择信号,有了列选择信号,所选中行上的基本存储电路才受到驱动,从而可以输出信息。 在读出过程中,选中行上的所有基本存储电路中的电容都受到打扰,因此为破坏性读出。为了在读出之后,仍能保存所容纳的信息,刷新放大器对这些电容上的电压值读取之后又立即进行重写。; 写操作 行选择线为“1”;T1管处于可导通的状态,如果列选择信号也为“1”则此基本存储电路被选中,于是由数据输入/输出线送来的信息通过刷新放大器和T1管送到电容C。 刷新 虽然进行一次读/写操作实际上也进行了刷新,但是,由于读/写操作本身是随机的,所以,并不能保证所有的RAM单元都在2ms中可以通过正常的读/写操作来刷新,由此,专门安排了存储器刷新周期完成对动态RAM的刷新。; ? 集成度高,功耗低 ? 具有易失性,必须刷新。 ? 破坏性读出,必须读后重写 ? 读后重写,刷新均经由刷新放大器进行。 ? 刷新时只提供行地址,由各列所拥有的刷新放大器, 对选中行全部存储细胞实施同时集体读后重写(再生)。 ;内部结构——16K×1; ;DRAM时序;DRAM时序;3.DRAM的刷新; 在整个刷新间隔内,前一段时间重复进行读/写周期或维持 周期,等到需要进行刷新操作时,便暂停读/写或维持周期,而 逐行刷新整个存储器,它适用于高速存储器。;例如:对128?128矩阵存储器刷新。; 把一个存储周期tc分为两半,周期前半段时间tm用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间tr作为刷新操作时间。这样,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。;? 异步式刷新;例: 说明1M×1位DRAM片子的刷新方法,刷新周期定为8ms。;练习:;解:1、采用异步刷新方式,在2ms时间内分散地把64行刷新一遍,故刷新时间间隔为2ms/64=31.25us,即可取刷新信号周期为≤31.25us。 2、如果采用集中刷新方式,假定T为读写周期,如16组同时进行刷新,则所需时间为64T。因为T为0.1us,2ms=2000us.死时间率=64T/2000*100%=0.32%。;4.6 非易失性半导体存储器;(1) 掩模式ROM;(2) 可写入(可编程)只读存储器PROM;(3)可擦可编程只读存储器EPROM;源;EPROM;编程器;紫外线擦除器;(4) 电擦可编程只读存储器EEPROM;(5) 快除读写存储器; F1ash

文档评论(0)

jiayou10 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8133070117000003

1亿VIP精品文档

相关文档