[前上前上前]-[上前上前上]+[前上前上前]-北京大学.ppt

;四十年前后 五十载结缘 七十季春秋;1963年与环卫工人劳动模范时传祥一块背粪便的照片;1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016;1968 1971 1974 1977 1980 1983 1986 1989 1992 1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016;欢迎进入 陈宝钦百度云盘共享平台 《中国科学院微电子研究所陈宝钦》专集，可直接连接： /pcloud/album/info?query_uk=624946816album_id=2248166757442936570;中国科学院大学 ;中国科学院大学微电子学院 ;2011-2014年国际大学生物联网 创新创业大赛 中国区总决赛;传感器技术在微纳米技术中应用的国际总决赛;传感器技术在微纳米技术中应用的国际总决赛;;1947年贝尔实验室发明 世界第一只点接触晶体管; 自从1958年世界上出现第一块平面集成电路开始算起，在短短的五十年中，微电子技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展，创造了人间奇迹。人类社会、世界、科学、未来都离不开微电子。 作为微电子技术工艺基础的微光刻技术与微纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。1980年左右曾经有人预言：光刻线宽不能小于1微米1989年曾经有预言：到1997年光刻技术将走到尽头1994年也曾经有比较乐观的长期预测，2007年线宽达到0.1微米（保守的预计为0.5微米） 这些预测都被光刻技术神话般的进步的步伐远远抛在后头 ！ 过去的几十年中证明，只要通过光刻技术的专家们的努力，就有办法实现当时看来已经超过现有光刻工艺物理极限的加工精度，不断地编写着新的神话。 ;;典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程;一个0.35um双阱CMOS 光刻及其它工艺流程实例;半导体材料的硅占地壳中所有元素含量的四分之一;最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。 ;半导体集成电路工艺中使用到的化学元素;中国微光刻与微纳技术历程和发展趋势;;挖掘光学曝光技术巨大潜力;移相掩模技术PSM Phase-Shift Masks;Optical Proximity Effect Correction;离轴照明改善焦深; 分辨率=; 两次曝光技术的应用目前特别为人们关注，把原来一次光刻用的掩模图形交替式地分成两块掩模，每块掩模上图形的分辨率可以减少一半，减少了曝光设备分辨率的压力，同时还可以利用第二块掩模版对第一次曝光的图形进行修整 两次曝光是有效地拓展现有光刻曝光设备的技术延伸，不必等待更高的分辨率和更高数值孔径系统的出现就可以投入下一个节点产品的生产 但两次曝光技术也有它的问题，如对套刻精度要求更苛刻和生产效率降低的问题。 两次曝光一次显影一次刻蚀； 两次曝光技术 DP 两次曝光两次显影三次刻蚀（一次沉积）； 三次曝光技术 TP 两次曝光一次固化一次显影一次刻蚀； 多次曝光技术 MP 一次曝光一次显影一次侧墙沉积一次刻蚀一次转移。 自对准技术 SP;可制造性设计 Design For Manufacturability - DFM;电子束光刻技术 E-Beam Lithography;电子束光刻亚50纳米结构图形难在哪里？;几种常用电子束抗剂蚀的特性;;;电子束光刻图形数据设计可制造性的问题;无宽度线曝光技术（Single Lines）;2.3 nm;胡 勇;低能微阵列电子束直写技术;2024;;C60;开发各种新颖的、非常规的加工技术;缩短曝光波长：准分子激光光源技术的成熟 ArF （193nm） 改变入射方向：离轴照明技术的开发 OAI 调制光强分布：光学邻近效应校正技术的应用 OPC 调整相位分布：移相掩模技术的突破 PSM 光的干涉衍射：光的波前重建工程的应用 Wavefront reconstruction 光的折射反射：浸没透镜等光刻技术的应用 Immersion;;; 一个人在一生当中有多少个老师，从幼儿园、小学、初中、高中、大学、硕士博士研究生甚至博士后，一