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《电子技术专业基础和实务[中级]》考试大纲
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《电子技术专业基础与实务(中级)》考试大纲
前 言
根据原北京市人事局《北京市人事局关于工程技术等系列中、初级职称试行专业技术资格制度有关问题的通知》(京人发?[2005]26号)及《关于北京市中、初级专业技术资格考试、评审工作有关问题的通知》(京人发[2005]34号)文件的要求,从2005年起,我市工程技术系列中级专业技术资格试行考评结合的评价方式。为了做好考试工作,我们编写了本大纲。本大纲既是申报人参加考试的复习备考依据,也是专业技术资格考试命题的依据。
在考试知识体系及知识点的知晓程度上,本大纲从对电子技术专业中级专业技术资格人员应具备的学识和技能要求出发,提出了“掌握”、“熟悉”和“了解”共3个层次的要求,这3个层次的具体涵义为:掌握系指在理解准确、透彻的基础上,能熟练自如地运用并分析解决实际问题;熟悉系指能说明其要点,并解决实际问题;了解系指概略知道其原理及应用范畴。
在考试内容的安排上,本大纲从对电子技术专业中级专业技术资格人员的工作需要和综合素质要求出发,主要考核申报人的专业基础知识、专业知识和相关专业知识,以及解决实际问题的能力。
命题内容在本大纲所规定的范围内。考试采取笔试、闭卷的方式。考试题型分为客观题和主观题。
《电子技术专业基础与实务(中级)》
考试大纲编写组
二○一○年一月
第一部分 专业基础知识
一、有关电工技术的专业基础理论知识
(一)电阻的串、并联
1.掌握电阻串、并联电阻阻值的计算
2.掌握电阻串、并联电阻每只电阻电压、电流和功率的计算
(二)电阻的混联
1.掌握电阻混联总电阻阻值的计算
2.熟悉电阻混联每只电阻电压、电流和功率的计算
(三)电容的串、并联
1.掌握电容的串、并联总电容量的计算
2.熟悉电容的串、并联每只电容上的电压、电量计算
(四)电容的容抗
掌握电容的容抗计算
Xc = 1/(ω×C)= 1/(2×π×f×C);
Xc电容容抗值;欧姆
ω角频率
π3.14;
f频率,对工频是50HZ;
C电容值 法拉
(五)电感的感抗
掌握电感的感抗计算
容抗用XC表示,电容用C(F)表示,频率用f(Hz)表示,那么Xc=1/2πfc 容抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和电容C,就可以用上式把容抗计算出来。 感抗用XL表示,电感用L(H)表示,频率用f(Hz)表示,那么XL=2πfL感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f和线圈的电感L,就可以用上式把感抗计算出来。已知容抗与感抗,则对应的电压与电流可以用欧姆定律算出,如果电容与电阻和电感一起使用,就要考虑相位关系了。
(六)阻抗的概念
1. 掌握阻抗的计算
Z=V/I
2. 掌握阻抗的幅值与相位角的计算
(七)交流电
1. 了解交流电的定义与交流送、配电的意义
2. 了解交流送、配电的实现与需注意的问题
(八)变压器的工作原理
1. 掌握变压器的变压比、变流比和阻抗变换原理
2. 熟悉变压器的磁路与磁路间隙
3. 熟悉磁路与磁阻的概念
(九)电桥的工作原理
1. 掌握直流电桥的工作原理
2. 熟悉交流电桥的工作原理、常用交流电桥的种类
(十)磁性材料与磁性元件
1. 掌握磁性材料的主要种类与有关技术指标
2. 熟悉常用磁性元件的种类与特点
二、常用半导体器件与工作原理
掌握半导体二极管、三极管、场效应晶体管的工作原理
1.熟悉半导体二极管、三极管、场效应晶体管的主要技术参数
二极管的参数:
1. 最大整流电流IF
2. 反向击穿电压VBR
3. 反向电流IR
4. 极间电容
2.熟悉半导体二极管、三极管、场效应晶体管的典型应用电路与特点
三、常用模拟电路的工作原理
(一)掌握常用模拟电路的主要技术参数
(二)掌握常用模拟电路的典型应用电路
1.熟悉运算放大器的放大倍数、输入、输出阻抗的计算
2.熟悉开环、闭环运算放大器的放大倍数的计算
3.熟悉运算放大器的单位增益带宽
4.熟悉振荡电路的基本工作原理
5.熟悉整形电路的基本工作原理
四、熟悉常用数字电路的工作原理
1.掌握各种触发器电路的工作原理
2.掌握各种数字编码的工作原理与特点
第二部分 专业理论知识
一、半导体材料
1. 掌握硅材料的基本特性
2. 熟悉硅单晶材料的重要参数:
晶向;导电类型;电阻率;杂质分布均匀性;微缺陷;晶片几何尺寸及公差;厚度;弯曲度;翘曲度;平行度;抛光片的平坦度。
3.熟悉硅单晶中杂质和缺陷对器件的影响。
杂质和缺陷导致元器件稳定性差,在温度高或大电流或高电压的时候容易在这个缺陷点上击穿。
4.掌握硅外延的基本原理
5. 了解半导体材料的分类
二、常用半导体器件与工作原理
1.掌握半导体二极管、三极管、场效应晶体管的主要技术参
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