任务一前置放大电路的分析和调试.pptVIP

授课教师 张小燕 信息工程系 电子信息教研室 ;;任务一前置放大电路的分析与调试;1.1.1 常用电子元器件及其测试与筛选 1.1.2 放大电路的静态分析与测试 1.1.3 放大电路的动态分析与测试 ;1.1.1常用电子元器件及其测试与筛选;1.1.1常用电子元器件及其测试与筛选;1.1.1常用电子元器件及其测试与筛选; 半导体就其导电能力有如下三个特点：1.热敏性 ；2.光敏性；3.掺杂性。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。 ; 室温下，由于热运动，少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。但由于纯净半导体中自由电子和空穴的数量有限，导电能力并不很强。; 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。; 在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。; 多子扩散;外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。; 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，不能通过较大电流，但高频性能好，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。面接触型二极管PN结面积较大，结电容也较大，允许通过较大电流，但工作频率较低，多用于低频整流电路中。 ;（1）正向特性;（1）最大整流电流IOM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 （3）最高反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UB 的一半）。 （4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。; 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。;稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ:反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ:工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ:稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM:额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM;五、发光二极管;六、光电二极管;要点回顾： 半导体有哪三个特点？ 什么是N型半导体、P型半导体，多子和少子是什么？ PN结是如何形成的？ 二极管的结构和电子符号是什么？ 如何用万用表判断二极管的阳极和阴极？ 如何用万用表