2000微电子学-上海贝岭-基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路.pdf

2 2 2 1 2 2 1 Λ 2 1 第 30 卷 第 2 期 微 电 子 学 V o l. 30, №2 2000 年 4 月 M icroelectron ics A p r. 2000 文章编号: 1004 3365 (2000) 02 0130 03 基于 CMOS 工艺的 IC 卡芯片 ESD 保护电路 朱朝晖1, 2, 任俊彦2, 徐　鼎1 (1. 上海贝岭股份有限公司, 上海 200233; 　2 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室, 上海　200433) 　 2 2 2 2 摘　要: 　介绍了 ESD 保护结构的基本原理, 并提出一个基于 CMO S 工艺用于 IC 卡芯片的保护 电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD 保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。 关键词: 　CMO S 工艺; IC 卡; ESD 保护电路 中图分类号: 　TN 403 文献标识码: 　A 　 The D esign of an ESD Protection C ircuit for IC Cards ZHU Zhao hu i, R EN Jun yan, XU D ing (1. S hang hai B elling S em icond uctor M anuf actu ring Co. L td. , S hang hai 200233; 2. S tate K ey L ab. A S IC S y stem s, F ud an U niversity , S hang hai 200433) 　 Abstract: 　A n ESD p ro tection circuit fo r IC cards is described,w h ich is based on CMO S p rocess. Effects of som e key design param eters on the perfo rm ance of the ESD p ro tection circuit are discussed and physically exp lained. Key words: 　CMO S p rocess; IC card; ESD p ro tection circuit EEACC: 　2570 　 位电路首先导通, 使输入端栅上的电压箝位在低于 1　引　言 栅击穿的电压。中间的串联电阻起限流作用。更重 要的是使 PAD 上的电压能触发主保护电路的开 静电损伤对半导体器件有直接或间接的损???。 启, 使 ESD 能量通过主保护电路释放。所以, 对这两 它是一种大能量 ( 1 A )、短持续时间的事件