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光栅平动式光调制器的残余应力自测量方法和试验

学兔兔 第 46卷第 8期 机 械 工 程 学 报 v01.46 NO.8 2010年 4 月 JOURNAL0FMECHANICALENGINEERING Apr. 2010 DoI:10.3901,JM哐.2010.O8.012 光栅平动式光调制器的残余应力 自测量方法和试验水 张智海 ,2 黄尚廉 张 洁 金 珠 王 宁 (1.重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 重庆 400044; 2.重庆大学新型微纳器件与系统技术国家重点学科实验室 重庆 400044) 摘要:对微机电系统(Mirco—electro-mechanicalsystems,MEMS)~r件残余应力的测量方法大都需要有标准的测试结构。这些测 试结构体积较大,一方面 占用有限的光刻版面积,另一方面加电和测试时都会增加复杂性和难度。针对一种基于微光机电系 统 (Micro.opto.elcetro-mechanicalsystems,MOEMS)技术的光栅平动式光调Slier(Gratingmovinglightmodulator,GMLM),提出 一 种无须外加测量结构,直接利用GMLM 本身结构特性得到残余应力的测量方法。这种测量方法利用残余应力与GMLM 吸 合电压之间的关系,由吸合 电压测量值可以计算出材料的残余应力值。推导GMLM残余应力与GMLM吸合电压之间的关系式, 并考虑平行板电容的边缘效应加以修正。通过试验,给出实际GMLM采用的A1.1%Si膜的残余应力为99MPa。该方法的应用, 使得GMLM 器件具有残余应力 自测量功能,实现测量和执行结构一体化,降低器件残余应力测量的成本和复杂度。 关键词:光栅平动式光调制器 微光机电系统 残余应力 自测量方法 吸合电压 中图分类号:TN405 Self-measuringM ethodandExperimentofResidualStressofGrating M ovingLightM odulator ZHANGZhihaiL HUANG Shanglian ZHANGJie JIN Zhu WANGNing (1.TheKeyLaboratoryforOpto-eletronicTechnologyandSystemofMinistryofEducation, ChongqingUniversity,Chongqing400044; 2.NationalKeyLaboratoryofFundamentalScienceofM icro/nano—device andSystemTechnology,Chongqing400044) Abstract:Mostofthemeasuringmehto~ ofresidualstressofdevicesofmicro—elecrto.mechnaicalsystems(MEMS)needstandard teststructures.111estructureswilltakeupalotofspaceonthechip.andenhna cethecomplicationanddifficultyofmeasuring. Aimingatagratingmovinglightmodul~or(GMLM)basedonmicro—opto-elecrto—mechanicalsystems(MOEMS),ameasuring mehtodiSproposcd.Itdircetlyutilizesthestru

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