【2017年整理】4.4光刻与刻蚀工艺.ppt

光刻胶的主要成分 2.光敏剂（PAC） 受光辐照之后会发生化学反应 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的主要成分 3.溶剂 使光刻胶在涂到硅片表面之前保持为液态 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 光学性质 光敏度，折射率 力学和化学性质 固溶度、粘滞度、粘着度、抗腐蚀性、热稳定性、流动性和对环境的敏感度 其它特性 纯度、金属含量、可应用的范围、储存的有效期和燃点 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 对比度 对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。 光刻胶的对比度越高，光刻胶层的侧面越陡，线宽描述掩模尺寸的准确度就越高。且陡峭的光刻胶在干法刻蚀中可以减小刻蚀过程中的钻蚀效应，从而提高分辨率。 光刻胶的基本属性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的膨胀 在显影过程中，若显影液渗透到光刻胶中，光刻胶的体积就会膨胀，这将导致图形尺寸发生变化，影响分辨率。 正胶不发生膨胀，负胶发生膨胀现象。故正胶分辨率高于负胶，负胶可通过减小厚度来提高分辨率 在相同的分辨率下，与负胶相比可以使用较厚的正胶，从而得到更好的平台覆盖并能降低缺陷的产生，同时抗干法刻蚀的能力也更强。 光刻胶的基本属性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 光敏度 指光刻胶完成所需图形曝光的最小曝光剂量 曝光剂量（mj/cm2）＝光强（单位面积的功率）×曝光时间 光敏度由曝光效率决定 曝光效率：参与光刻胶曝光的光子能量与进入光刻胶中的光子能量的比值 正胶比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大，光敏度大可减小曝光时间 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 抗刻蚀能力 图形转移时，光刻胶抵抗刻蚀的能力。 光刻胶对湿法腐蚀有比较好的抗腐蚀能力，对大部分的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力则比较差 热稳定性 通常干法刻蚀的工作温度比湿法腐蚀要高，所以光刻胶应能够承受200 ℃以上的工作温度 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 黏着力 在刻蚀过程中，如果光刻胶黏附不牢就会发生钻蚀和浮胶，这将直接影响光刻的质量，甚至使整个图形丢失。 增强黏附性的方法： 1.涂胶前脱水处理 2.使用增粘剂（HMDS) 3.提高坚膜的循环温度 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 光刻胶的溶解度 光刻胶是由溶剂溶解了固态物质（如树脂）所形成的液体，其中溶解的固态物质所占的比重称为溶解度 光刻胶的粘滞度 影响甩胶后光刻胶膜厚 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶的基本属性 微粒数量和金属含量 光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量