SVF10N65TFKS说明书.PDFVIP

下载本文档

985
0
约4.09万字
约 9页
2017-05-07 发布于四川
举报
版权申诉

SVF10N65TFKS说明书.PDF

1、本文档共9页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

SVF10N65TFKS说明书

SVF10N65T/F/K/S 说明书 10A 、650V N沟道增强型场效应管描述 SVF10N65T/F/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。特点 ∗ 10A ，650V，RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力产品命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装 SVF10N65T TO-220-3L SVF10N65T 无铅料管 SVF10N65F TO-220F-3L SVF10N65F 无卤料管 SVF10N65K TO-262-3L SVF10N65K 无卤料管 SVF10N65S TO-263-2L SVF10N65S 无铅料管 SVF10N65STR TO-263-2L SVF10N65S 无铅编带杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.9 2014.04.23 Http:// 共9页第1页士兰微电子 SVF10N65T/F/K/S 说明书极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数符号 SVF10N SVF10N SVF10N SVF10N 单位 65T 65F 65K 65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25°C 10.0 漏极电流 ID A TC = 100°C 5.5 漏极脉冲电流 IDM 40 A 耗散功率（T =25°C ） 156 50 148 150 W C