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SVF1N60AMMJBDFH说明书.PDFVIP

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SVF1N60AMMJBDFH说明书

SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 说明书 1A 、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场 效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技 术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低 的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 ∗ 1A ,600V,RDS(on)(典型值)=6.8 Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF1N60AM TO-251D-3L SVF1N60AM 无铅 料管 SVF1N60AMJ TO-251J-3L SVF1N60AMJ 无铅 料管 SVF1N60ABTR TO-92-3L 1N60A 无铅 编带 SVF1N60AD TO-252-2L SVF1N60AD 无铅 料管 SVF1N60ADTR TO-252-2L SVF1N60AD 无铅 编带 SVF1N60AF TO-220F-3L SVF1N60AF 无铅 料管 SVF1N60AH SOT-223-3L SVF1N60AH 无铅 编带 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.0 2012.12.14 Http:// 共11页 第1页 士兰微电子 SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H 说明书 极限参数(除非特殊说明,T =25°C) C 参数范围 参 数 符 号 SVF1N SVF1N SVF1N SVF1N SVF1N 单位 60AM/D 60AMJ 60AB 60AF 60AH 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 1.0 C 漏极电流 ID A T =100°C 0.6 C 漏极脉冲电流 IDM

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