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以超高真空化学束磊晶系统成长氮化铟薄膜对结构特性之研究
科學與工程技術期刊 第六卷 第一期 民國九十九年 9
Journal of Science and Engineering Technology, Vol. 6, No. 1, pp. 9-13 (2010)
以超高真空化學束磊晶系統成長氮化銦薄膜對
結構特性之研究
1 2 3 1
陳維鈞 郭守義 賴芳儀 蕭健男
1 財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心
30076 新竹市科學園區研發六路 20 號
2 長庚大學電子工程學系
33302 桃園縣龜山鄉文化一路 259 號
3 元智大學光電工程學系
32003 中壢市遠東路 135 號
摘 要
本文利用自組裝之超高真空化學束磊晶系統成長高品質氮化銦 （InN ）薄膜於氮化鎵（GaN ）
磊晶層上，實驗過程中，主要探討以調變不同基板溫度對氮化銦薄膜結構及表面形貌之影響。
由ｘ光繞射實驗結果顯示，於不同基板溫度所成長之氮化銦薄膜皆是沿著 c 軸 GaN 磊晶層方向
生長，幾乎無金屬銦殘留；在低溫（~430°C ）所成長之氮化銦磊晶層有較佳的結晶品質；另外，
由 SEM （scanning electron microscopy ）影像得知，在550°C 時，沉積速率約為 1.2 m/hr ，且其
表面粗糙度會隨著基板溫度提高而增加；由穿透式電子顯微鏡結果中得知，氮化銦沿著氮化鎵
晶軸生長且為磊晶結構，其 c 軸晶格常數約為 0.57 nm ；兩者之間並無反應層。綜合以上結果
得知，使用氮化鎵異質基板可成長出高品質之氮化銦薄膜。
關鍵詞：氮化銦薄膜，化學束磊晶系統，基板溫度
Effect of Substrate Temperature on InN Films by
UHV-Chemical Beam Epitaxy
1 2 3 1
WEI-CHUN CHEN , SHOU-YI KUO , FANG-I LAI and CHIEN-NAN HSIAO
1Instrument Technology Research Center, National Applied Research Laboratories
20, R D Rd. VI, Hsinchu Science Park, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.
2Department of Electronic Engineering, Chang Gung University
No. 259, Wen-H
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