器件仿真比较标准.doc

实验一： NMOS器件仿真 一、实验目的： 1、了解MEDICI的功能； 2、基本掌握MEDICI的使用方法； 3、掌握NMOS的结构，并获得NMOS的器件结构图，杂质加密分布网格，电势加密分布网格等； 二、实验原理和内容： Medici是一个用来二维器件模拟的软件，它对势能场和载流子的二维分布建模，通过解泊松方程和电子、空穴的电流连续性等方程来获得特定的电学特性。该软件可以对双极性、MOS型等半导体器件进行模拟，这个程序通过解二极管和双极型三极管以及双载流子有关的电流效应的电流连续性方程和泊松方程来分析器件。 三、实验步骤： 1、打开medici，输入用户名和密码； 2、新建文件夹； 3、新建文件； 4、编写器件结构文件并查看器件结构图像； 5、编写文件并查看杂质分布，电势分布； 6、编写文件并查看二次击穿、阈值电压、表面势电荷； 7、关闭实验软件； 四、实验数据和结果： （1）、杂质分布加密网格 程序：TITLE Avant! MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET COMMENT Specify a rectangular mesh MESH SMOOTH=1 X.MESH WIDTH=3.0 H1=0.125 Y.MESH N=1 L=-0.025 Y.MESH N=3 L=0. Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.125 Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.250 COMMENT Eliminate some unnecessary substrate nodes ELIMIN COLUMNS Y.MIN=1.1 COMMENT Increase source/drain oxide thickness using SPREAD SPREAD LEFT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2 SPREAD RIGHT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2 COMMENT Use SPREAD again to prevent substrate grid distortion SPREAD LEFT WIDTH=100 UP=3 LO=4 Y.LO=0.125 COMMENT Specify oxide and silicon regions REGION SILICON REGION OXIDE IY.MAX=3 COMMENT Electrode definition ELECTR NAME=Gate X.MIN=0.625 X.MAX=2.375 TOP ELECTR NAME=Substrate BOTTOM ELECTR NAME=Source X.MAX=0.5 IY.MAX=3 ELECTR NAME=Drain X.MIN=2.5 IY.MAX=3 COMMENT Specify impurity profiles and fixed charge PROFILE P-TYPE N.PEAK=3E15 UNIFORM PROFILE P-TYPE N.PEAK=2E16 Y.CHAR=.25 PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=0.0 WIDTH=.5 + XY.RAT=.75 PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=2.5 WIDTH=.5 + XY.RAT=.75 INTERFAC QF=1E10 PLOT.2D GRID TITLE=2940710325 - Initial Grid FILL SCALE COMMENT Regrid on doping REGRID DOPING LOG IGNORE=OXIDE RATIO=2 SMOOTH=1 PLOT.2D GRID TITLE=2940710325 - Doping Regrid FILL SCALE 实验图形： （2）、电势分布加密网格程序： COMMENT Specify contact parameters CONTACT NAME=Gate N.POLY COMMENT Specify physical