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基于Fluent的功率屏蔽结构体热仿真研究

· 杌械研究与应用 ·2014年第6期(第27卷,总第134期) 研究与分析 基于Fluent的功率屏蔽结构体热仿真研究 韩宝庆,李婧铱,秦文科,马新生,郭刚涛 (航天天绘科技有限公司西安分公司,陕西 西安 710100) 摘 要 :工业应用中,大量电子设备工作过程中都伴随着热量的产生,控制好设备温度对于保障工作质量至关重要。 笔者将研究某功率屏蔽体在工作过程中,功率放大器等发热元件产生的热量在结构体 内部的分布情况,并得 出体 内 的温度分布云图。 关键词:数值模拟:功率屏蔽;FLUENT;流场分布 中图分类号:QOS1.1 文献标志码 :A 文章编号:1007—4414(2014)06—0043—03 SimulationResearch on TemperatureFieldofPowerShieldingStructureBasedonFluent HANBao—qing,LIJing—yi,QINWen—ke,MAXin—sheng,GUOGang—tao (XianBranchofAerorslnc,XianShaanxi 7101O0,China) Abstract:Inthe industrialapplications,alarge numberofelectronic equipmentsare easily to produceheatinworking process,SOitisveryimportanttocontroltemperatureofequipmentsSOastoguaranteetheworkingquality.Inthisarticle,we willstudyheatdistributionofheatingcomponentssuchasthepoweramplifierofapowershieldingstructureduringworking process.Consequentlywecangetthecloudpictureoftemperaturedistributioninsideofthesturcture. Keywords:numericalsimulation;powershielding;FLUENT;flowfielddistribution O 引 言 耗散率 的方程,形成了k-8双方程模型,称之为标 某功率屏蔽结构体 内装有 PCB板,板上有4块 准 一 模型 。标准 k-6模型是由Launder、Spa1. 芯片,且不规则的分布在PCB板上,结构体上方有盒 ding在 1972年提出的。模型中的8定义为: 盖进行密封。在正常工作过程中,芯片为主要发热元 盟 = f 1f 1 (1) 件,将产生一定热量,这些热量超过安全要求时对于 P Oxk1 Oxk/ 设备来说是一种危害,因此应及时的进行散热,通过 湍动粘度 可表示成k与g的函数,Up: 传递给PCB板,再依次传递给结构体,然后由壳体外 譬 (2) 表面散失到空气介质中。由此可以看出,PCB板上芯 片功率的大小、材料的选择以及安装位置都决定着设 标准k-e模型的输运方程为: 备的安全使用要求,下面将针对功率屏蔽结构体内的 O(pu~k) 旦 + Ot = 温度

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