Advanced_Analog_IC_Tsinghua-高等模拟集成电路.pdf

ＣＭＯＳ模拟集成电路基础 1 ， 虽然模拟电路在早期主要是基于双极型电路 但随着 ＣＭＯＳ工艺 　　 ， ， 技术的不断发展 以及对数模混合集成电路需求的日益增长 采用与 数字电路兼容的标准 ＣＭＯＳ工艺实现模拟电路已成为一种必然的趋 。 ， 、 势 ＭＯＳ器件的速度逐渐提高 加之 ＭＯＳ 工艺本身在成本 功耗及 ， ， 集成度等方面的优势 随着各种更易于集成的新型电路的出现 ＣＭＯＳ 电路在模拟集成电路方面显示出越来越大的发展潜力。 ， 本章从ＭＯＳ器件的基本特性及其模型入手 重点分析ＭＯＳ器件 构成的 、 ， ＣＭＯＳ基本放大电路 电流源电路的原理及特性 进而对模拟 ， ， 电路的基本单元 即运算放大器电路的组成及特性 进行较深入的研 ， 究 同时对模拟电路中常用的基准电压源电路及模拟开关电路进行简 要分析和介绍。 ， 本章内容是 ＣＭＯＳ模拟集成电路的基础 可帮助读者较容易地进 入后续各章内容的学习。 1.1MOS器件基础及器件模型 　 ， ＭＯＳ场效应晶体管是组成 ＣＭＯＳ集成电路的基本元器件 器件 、 。 的物理模型和数学模型是合理 准确地设计集成电路的基础 １．１．１ 结构及工作原理 　 组成 电路的有源器件是 沟道增强型和 沟道增强型 ＣＭＯＳ Ｎ Ｐ ， 。 场效应晶体管 分别简称为 管和 管 图 显 ＭＯＳ ＮＭＯＳ ＰＭＯＳ １．１．１ 示了一个 。 管的物理结构图及其电路符号 在 型衬底上有两 ＮＭＯＳ