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模拟集成电路设计复习大纲
《模拟集成电路设计》复习大纲
概念：
1. 密勒定理：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为勒定理。
：为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力，跨导的表达式
N阱：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。：：：当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以分析共漏电路的主要功能，如何通过参数设计改善特定功能下的电路性能。
答：共漏电路小信号电压跟随，大信号电平移位，增大gm或减小gd改善特电路性能。差动对中，用一个电阻代替电流源来提供1mA尾电流。
已知：(W/L)1,2=25/0.5，，VTH=0.6V，，VDD=3V。
RSS上保持0.5V的压降，那么输入共模电平应为多少？
计算差模增益为5时的RD的值。
差动电路如图所示，ISS=1mA，VDD=3V，(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。（a）假设γ=0，求差动电压增益；
（b）γ=0.45 V-1时，如果ISS上的压降至少为0.4V，求最小的允许输入共模电平。
a）ID=0.5mA，gmN=3.66×10-3，rON=2×104Ω，rOP=104Ω，Av=-gmN(rON || rOP)=-24.4
（b）
VGS1=0.786+0.27=1.056V
Vin,CM=1.056+0.4=1.456V
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