如何看内存条型号〔容量〕.docVIP

金士顿 KVR *** X ** （s） C* / *** 1 2 外频 3 4 5 6 延迟时间 7 8 容量 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度 单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3： CAS=3； C2.5： CAS=2.5； C2： CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL23），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS LGS(LG Semicon) LGS的内存编码规则： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、GM代表LGS公司. 2、72代表SDRAM. 3、V代表3V电压. 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新. 5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O界面：一般为1 8、产品系列：从A至F. 9、功耗：空白则是普通，L是低功 10、封装模式：一般为T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL23），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） SEC（三星SAMSUNG） 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考. SEC编码规则： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4. 2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位. 3、一般均为S 4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量. 5、一般均为0 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O界面：一般为0 8、版本号 9、封装模式：一般为T：TSOP 10、功耗：F低耗，G普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL23），L：10NS（CL3），10：10NS. Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则. 含义： MT——Micron的厂商名称. 48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR. LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V. 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度. A2——内存内核版本号. TG——封装方式，TG即TSOP封装. -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz. 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒