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CMOS 集成电路应用笔记 说 明 本文是笔者在工作中遇到的一些疑问，由此查询相关资料整理而 书。相信从事电子电路设计的朋友也会遇到类似或相同的问题，所以 借此机会向大家分享这份《CMOS 电路应用笔记》，一是希望同行朋 友少走弯路，减少不必要的时间浪费，再是希望通过这份笔记认识更 多从事电子行业的朋友，共同探讨电子设计的技术问题，联系方式见 页眉处。 注： 1 如联系，QQ验证请注明“电子电路设计”，发QQ 邮件时请注 明字母序号，联系方式：1469908375@ 2 以下是笔者几年来收集整理的电子资料，如果哪位朋友有兴趣 可以发E-mail 免费索取，索取资料时请注明字母序号： A 40 个C51 程序源代码（40 个项目文件夹，6MB 左右） B 电压基准与时间基准详解（1 个PDF 文件，424KB ） C 运算放大器的设计，应用与分析（6 个PDF 文件，2.22MB ） D 模拟与数字的桥梁选型，注意事项及特性分析（3 个PDF 文件，1.43MB） E 硬件系统的‘接地’问题及噪声分析（2 个 PDF 文件， 401KB ） F 半导体测试基础（1 个PDF 文件，5.22MB ） G 某知名公司内部培训讲义（1 个PDF 文件，3.25MB ） - 1 - QQ：1469908375@ CMOS 集成电路应用笔记 HCMOS 的功耗 1 动态功耗 主要是电容充放电引起的，分三种情况，内部电容和负载电容的暂态消耗，以及开关 过程中的电流峰； 1 负载电容的暂态消耗（充放电）；作为负载电容， Q=CL*Vcc, 2 Q/T=C *(Vcc/T),I=Q/T,f=1/T,I =C *Vcc*f;P= C *Vcc *f; L l l l 2 内部电容 P= C 2 i*Vcc *f; 3 输入信号高低电平转换工程中必经过的状态，即 P 沟道 N 沟道同时导通，从 Vcc 到地的导通通道，故与输入信号的工作频率有关，综合2所述，功耗与内部电容， 工作频率的一个函数Cpd(无负载消耗功率电容) ； 综上所述，P = （CL + CPD ）* Vcc*f + Icc * Vcc； 总 HCMOS 的直流特性 1 带缓冲器（两级反相器）的有点： 1 使用标准缓冲器的 CMOS 系列，使器件的输出特性达到一致；而无缓冲门电路的 输出阻抗随输入逻辑电平变化，而带缓冲输出级的不受输入条件影响； 2 带缓冲门的电路使用小晶体管，相应的输入电容也小； 2 HCT 系列的由来 其输入电平与TTL 相容，它的输出能够驱动CMOS，而TTL 输出高电平只有2.7V， 不能高到足以有效的驱动CMOS，能够用在TTL 与CMOS 之间作为接口；或者（在没有 HCT 系列接口电路中），在TTL 输出接上拉电阻； 3 输入电流与电容 每个CMOS 输入都存在电容（典型值为3—5pF ），由封装，输入二极管和晶体管栅电 容共同构成。测试时，除了被测端外其余全接地，可得到正确的数值，避免输入电容和电 源，地之间形成的环路的影响，避免了去耦影响。 4 输出特性 CMOS 输出电流具有对称性，较之CD 系列，输出驱动电流大； 当驱动容性负载及传输线时，他的输出电流电压特性决定接通其输出的状态，可用的 输出电流越大，则速度越快。 不同