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模拟电路基础教学大纲
电子科技大学
《模拟电路基础》教学大纲(本科64学时)
2006.9
第一章 半导体材料及二极管
一、了解半导体的基本知识
本征半导体与杂质半导体(P型与N型);本征激发与复合;杂质电离;空穴导电原理;多子与少子;漂移电流与扩散电流的概念;PN结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);PN结的单向导电特性;不对称PN结。
二、掌握二极管的基本知识
二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程;二极管伏安特性曲线及其温度特性;二极管导通电压与反向饱和电流;二极管的直流电阻与交流电阻(估算式);硅管与锗管的区别。
三、二极管应用
掌握单向导电特性应用:整流与限幅。能分析简单二极管电路。
正向导通特性应用:恒压源模型及小信号模型。
反向击穿特性及应用:了解反向击穿现象;掌握稳压管工作原理及电路。
了解电容效应及应用:势垒电容与扩散电容;变容二极管原理。
第二章 双极型晶体三极管(BJT)
一、理解BJT工作原理
NPN与PNP管;放大偏置特点;放大偏置时内部载流子传输;放大偏置时外电流关系(掌握直流传输方程,,,ICBO,ICEO的概念);放大偏置时的vBE、vCE的作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应);BJT的截止与饱和状态及特点。
二、BJT静态伏安特性曲线
理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。
三、BJT参数
理解、、?、?、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义
四、混合?模型
理解完整模型和了解模型参数的物理含义。
熟练掌握两种简化模型(gm参数和?参数模型)及其模型参数的计算方法。
第三章 BJT放大电路
一、理解放大器的一些基本概念
信号源(内阻,源电压,源电流);负载电阻;输入输出电压(电流);耦合电容与旁路电容;直流通路与交流通路;交流地;工作点;小信号放大的波形演示。
二、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法
工作点的估算;直流负载线;稳基流电路;基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
三、BJT三种基本组态放大器(中频段)
熟练掌握小信号放大器指标及其意义:端增益、源增益、输入与输出电阻。
掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点;熟练掌握等效电路分析法。
掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法;理解截止失真与饱和失真。
四、多级放大器
理解级间耦合方式;了解直流放大器的特殊问题;掌握放大器通用模型;掌握多级放大器指标计算。
第四章 MOSFET及其放大电路
一、FET原理
了解FET的分类、电路符号;了解N沟道增强MOSFET的工作原理及N沟道JFET;放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。
二、FET特性曲线
以N沟道增强型MOSFET为重点,理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。
三、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置)
掌握工作点的估算方法,了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。
四、FET的小信号模型
理解gm的含义及计算式,理解rds含义、完整小信号模型;掌握低频小信号模型。
五、FET的CS和CD组态放大器
熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。
第五章 放大器的频率响应
一、放大器频率响应的概念及描述
掌握产生频率响应的原因;理解放大器频率特性函数,掌握fL、fH、BW的定义;理解幅频特性和相频特性函数;了解频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真的区别;了解对数频率特性曲线?波特图的概念。理解放大器的增益函数、零、极点。
二、掌握放大器的低、高频截止频率的估算
用短路时间常数法估算fL;用开路时间常数法估算fH。
第六章 模拟集成单元电路
一、恒流源
熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标;理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点;熟练掌握有源负载放大器工作原理。
二、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法
差放的信号分解(vic、vid与任模信号关系);各种差放电路;差放工作点估算;差放的指标(Avd,Avc,KCMR,Rid,Ric,Ro)及用单边等效电路法求指标,差放抑制零漂的原因;了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。
三、功率输出电路
了解功放的分类,乙类功放优于甲类功放的特点;理解乙类功放的交越失真及克服方法。
掌握互补功放的电路原理及满激励指标(效率、管耗、电源功率)的计算;理解功率管极限参数(ICM,PCM,BVCEO);理解复合管的连接方式。
第七章 负反馈技术
一、单环理想模型
理解基本概念:原输入xs
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