中国半导体分立器件命名方法.pdfVIP

电子下载站 资料版权归合法所有者所有 严禁用于商业用途 中国半导体分立器件型号的命名法 中国半导体分立器件型号的命名法 中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成: 第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81 的 3 第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81 的 A 第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81 的 X 第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81 的 81 第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81 的 -81 但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN 型二极管(P 区和N 区之间夹一层本征半导体 或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过 100MHz 时, 由于少数载流子的存储效应和I 层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置 而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B 是表示:B 规格 2 号场 效应管. 中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义 用数字表示器件的有效电极数目 用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用阿拉伯数字表示器件的序号 用汉语拼音字母表示规格 2 二极管 A N 型,锗材料 P 普通管 D 低频大功率管 B P 型,锗材料 V 微波管 A 高频大功率管 C N 型,硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管 D P 型,硅材料 C 参量管 Y 体效应器件 3 三极管 A PNP 型,锗材料 Z 整流管 B 雪崩管 B NPN 型,锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管 C PNP 型,硅材料 S 隧道管 CS 场效应管 D NPN 型,硅材料 N 阻尼管 BT 半导体特殊器件 U 光电器件 FH 复合管 E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN 型管 X 低频小功率管 JG 激光器件 G 高频小功率管 欢迎光临中国最大的电子工程师应用网站 网址：