1半导体二极管的识别检测与选用.doc

2013——2014 学年第二学期教案 学科：电子技术基础 任课教师： 编号：1 课 题 模块一 整流、滤波电路 第一节 半导体二极管的识别、检测与选用 课时安排 2 编写日期 14年2月28日 检查签字 授课日期 班 级 电安13-1 课堂类型 单一 辅助教学 手 段 多媒体 教学方法 讲授 教 学 目 的 1.会画普通二极管的图形、文字符号，判断二极管的正负极。 2.能说出二极管的导电特性并判断简单电路中的二极管的导通情况。 3.可以概括出二极管的工作原理 重 点 二极管的导电特性 难 点 二极管的导电特性和二极管的工作原理 教 学 回 顾 教学过程 教学内容 调控与活动 教师活动 学生活动 组织教学（3分钟） 1、清点人数； 2、填写教学日记及班级日记。 向班长询问出勤情况1） 导体（2） 绝缘体（3） 半导体 半导体的导电特性介于二者之间。常用的半导体材料有硅、锗等。 二 本征半导体 受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。 三 杂质半导体 在本征半导体中，有选择地掺入少量其它元素，会使其导电性能发生显著变化。这些少量元素统称为杂质。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，有N型半导体和P型半导体两种。 （1）Ｎ型半导体 在本征半导体中, 掺入微量５价元素, 如磷、锑、砷等, 则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。Ｎ型半导体中, 自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。 （2）P型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到P型半导体。这时杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的三个价电子和相邻的四个硅原子组成共价键时，只有三个共价键是完整的，第四个共价键因缺少一个价电子而出现一个空位。 通过本节的学习，让学生能够说出杂质半导体的基本类型和物质的导电性能分类 四、二极管的基本结构与类型 把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。 二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1所示,在图1 (b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。 根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 五、二极管的基本特性 （1）单向导电性 1.二极管正向偏置 给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏) 2．二极管反向偏置 给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏) 结论： 二极管具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止。 3.二极管的击穿特性 当加于PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 4.二极管的伏安特性 ? 半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。 1)正向特性 二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.2V,如图2中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.7V,锗管约为0.3V,如图2中AB(A′B′)段。 2)反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。 3)反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图2中CD(C′D′)段。 4)温度对特性的影响 由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。 六、二极管的主要参数 1)最大整流电流Ｉ2)最大反向工作电压Ｕ 3)反向电流Ｉ4) 1. 二极管的结构 2. 二极管的单向导电性 3. 二极管的主要参数 课后题 判断题，填空题