模拟电子技术前三章总结.ppt

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 第二章 基本放大电路 2.1放大的概念和电路主要指标 2.2基本共射放大电路的工作原理 2.3放大电路的分析方法 2.4放大电路静态工作点的稳定 2.5单管放大电路的三种基本接法 2.6晶体管基本放大电路的派生电路 2.7场效应管放大电路 第三章 多级放大电路 3.1 多级放大电路的耦合方式 3.2 多级放大电路的动态分析 3.3 直接耦合放大电路 * * 模拟电子技术基础 Fundamentals of Analog Electronics 童诗白、华成英　　主编 ---第一章至第三章的总结 电气与信息学院 电化1001班 唐琦 1.1 半导体基础知识 本征半导体 概念：纯净的具有晶体结构的半导体。 一、导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物 质，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1. 半导体中两种载流子：带负电的自由电子，带正电的空穴 　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 　3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 　杂质半导体 杂质半导体有两种： N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体 1、在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 2、自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 3、5 价杂质原子称为施主原子。 二、 P 型半导体 　1、在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体 2、3 价杂质原子称为受主原子。 3、空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 　PN结 一、PN 结的形成 PN 结中载流子的运动：扩散运动（ 扩散运动形成空间电荷区） 二、 PN 结的单向导电性 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态 三、PN结的伏安特性 反向击穿、齐纳击穿、雪崩击穿 四、PN结的电容效应 势垒电容、扩散电容 1.2 半导体二极管 概念：在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 分类：二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型 二极管的伏安特性 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。 二极管的参数 (1) 最大整流电流If; (2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM ;(3) 反向电流IR ;(4) 最高工作频率fM ; (5) 极间电容Cj 稳压二极管 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳压电压。 1.3　双极型晶体管 　三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型。(本节以PNP型为例) 一、晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e 　 　 c b e 符号 三极管结构示意图和符号　(b)NPN 型 N N P P N 三极管结构示意图和符号　 (b)PNP 型 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e 　 　 c b e 符号 晶体管内部载流子的运动 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极电流 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic 另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 晶体管的共射电流放大系数 1、共射直流电流放大系数 2、共射交流电流放大系数 3、共基直