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MOCVD GaAs太阳电池的结特性
第 20 卷第 1 期 半 导 体 学 报 . 20, . 1
V o l N o
1999 年 1 月 . , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan
MOCVD GaA s 太阳电池的结特性
施小忠 夏冠群 汪 乐 莫金玑
( 中国科学院上海冶金研究所半导体材料和器件研究室 上海 200050)
摘要 本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数. 结果表明M OCVD 太阳电池的效率
随电池外延 型层厚度的增大而增大. 暗电流随电池外延 型层厚度的增大而减小.
n n M OCVD
电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延 型层厚度的增大而增强. 电池比
n M OCVD L PE
电池所能承受的反向电流密度大.
: 8420, 2560 ; : 8630
EEACC H PACC J
1 引言
液相外延( ) 和金属有机化合物气相淀积( ) 方法是制作太阳电池材料的两
L PE M OCVD
种主要方法. 国内使用L PE 方法时间较长,M OCVD 方法才刚起步, 工艺不很完善, 但目前
制作的M OCVD 电池的效率已很接近L PE 电池的效率. 增大M OCVD 电池外延层的厚度
可以提高电池的效率, 同时还发现增大n 型外延层的厚度能提高电池承受大电流的反向冲
击的能力. 为此, 本文探讨了增大 n 型外延层的厚度对提高电池的效率所起的作用, 同时说
明了电池承受大电流的反向冲击的能力随 型层厚度的增大而增大的原因.
n
2 实验方法
2. 1 样品制备
2. 1. 1 材料
本实验所用的器件样品的材料均为 + ( ) ( ) (
衬底 缓冲层 掺
n GaA s n GaA s n GaA s
) (掺 ) (掺 ). 多层外延生长采用 和 两种方法.
Si p GaA s Zn p GaA lA s Zn L PE M OCVD
18 - 3 ( ) 17 - 3
衬底的浓度为 2 ×10 cm , 晶向为 100 , 厚度为 400m. 缓冲层浓度为 2 ×10 cm .
17 - 3 18 - 3
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