MOCVD GaAs太阳电池的结特性.pdf

　第 20 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 1　 V o l N o 　1999 年 1 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan MOCVD GaA s 太阳电池的结特性 施小忠　夏冠群　汪　乐　莫金玑 ( 中国科学院上海冶金研究所半导体材料和器件研究室　上海　200050) 摘要　本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数. 结果表明M OCVD 太阳电池的效率 随电池外延 型层厚度的增大而增大. 暗电流随电池外延 型层厚度的增大而减小. n n M OCVD 电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延 型层厚度的增大而增强. 电池比 n M OCVD L PE 电池所能承受的反向电流密度大. : 8420, 2560 ; 　 : 8630 EEACC H PACC J 1　引言 液相外延( ) 和金属有机化合物气相淀积( ) 方法是制作太阳电池材料的两 L PE M OCVD 种主要方法. 国内使用L PE 方法时间较长,M OCVD 方法才刚起步, 工艺不很完善, 但目前 制作的M OCVD 电池的效率已很接近L PE 电池的效率. 增大M OCVD 电池外延层的厚度 可以提高电池的效率, 同时还发现增大n 型外延层的厚度能提高电池承受大电流的反向冲 击的能力. 为此, 本文探讨了增大 n 型外延层的厚度对提高电池的效率所起的作用, 同时说 明了电池承受大电流的反向冲击的能力随 型层厚度的增大而增大的原因. n 2　实验方法 2. 1　样品制备 2. 1. 1　材料 本实验所用的器件样品的材料均为 + ( ) ( ) ( 衬底 缓冲层 掺 n GaA s n GaA s n GaA s ) (掺 ) (掺 ). 多层外延生长采用 和 两种方法. Si p GaA s Zn p GaA lA s Zn L PE M OCVD 18 - 3 ( ) 17 - 3 衬底的浓度为 2 ×10 cm , 晶向为 100 , 厚度为 400m. 缓冲层浓度为 2 ×10 cm . 17 - 3 18 - 3