MSP430Flash读写操作小结.doc

MSP430X14X Flash 读写操作总结 开发平台：IAR Embedded Workbench、MSP430F149开发板 作者：谭贝贝 Flash简介 Flash分为主存储区和信息存储区，主存储区有8个512byte的片段，信息存储区有两个128byte的片段。Flash默认为读取模式。在对Flash进行编程或者擦除时不允许读写，如果需要CPU在这期间进行操作，可以把代码段放在RAM中进行。 Flash操作注意事项 在读写的过程中电压不能小于2.7V否则擦除和读写的结果将不可预测。Flash的可操作时钟频率为~257KHZ---~476KHZ。如果频率不符合要求，则结果不可预测。 在擦除先需要关闭中断和看门狗，在擦除的过程中如果产生了中断，则会在重新使能中断后产生一个中断请求。Flash只能从1写为0，不能从从0写为1，所以需要擦除。 可以被擦除的最小模块是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。 Flash ERASE MSP430X14X的擦除模式可以从Flash或者RAM中进行。 从Flash中擦除 从Flash中擦除的过程中所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。擦除完成后需要一个假写入CPU才能复位。从Flash擦除时有可能把后面CPU需要执行的代码擦除。如果发生这样的情况，在擦除后CPU的执行状况将不可预测。 Flash中擦除流程图 从RAM中擦除 从RAM中擦除时CPU不会被挂起，可以继续执行代码。必须检测BUSY位以判断擦除是否结束，如果在擦除的过程中（即BUSY=1时）访问Flash，这是一个违规的访问，ACCVIFG会置位，而擦除的结果也将不可预测。 RAM中擦除流程图 Flash Write MSP430X14X有两种写入模式，分为段写入（byte/word write），和块写入（Block Write），块写入要快得多，但是操作麻烦，在擦除的过程中不能有一个Flash word(low + high byte)，则会发生损坏。CPU不能在BUSY=1时访问Flash，否则ACCFIG将置位写入将不可预测。 Byte/Word write Byte/Word 写入可以从Flash或者RAM初始化，当从Flash中初始化时，所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。写完后CPU将继续执行后面的代码。 当从RAM中初始化时，BUSY必须在CPU访问Flash前置0.否则ACCFIG将被置位，写入的结果将不可预测。 在Byte/Word 写模式下写入总时间不能超过4ms,如果超过了，当再想这块任何地址写入数据时必须先擦除。 Byte/Word 写入流程图 从RAM中执行Byte/Word 写入 块写入 块写入时没一小块不能超过t_cpt=4ms,块写入只能从RAM中进行，在块写入的过程中WAIT位要置0，当想Flash中写入数据时，需要先检查WAIT位是否为1.当前块写完后BLKWRT要清0. 流程图 在擦除或者写入的过程中访问Flash，见下表 Flash的寄存器 FCTL1，选择擦除和写入模式的寄存器 FRKEY/FWKEY 高八位为密码读的密码为96h，写的密码为A5h。 BLKWRT 块写入模式选择位，可以自动被EMEX置位 WRT 字写入模式选择位，可任意自动被EMEX置位 MERASE和ERASE，擦除模式选择位 FCTL2时钟选择寄存器 FWKEYx密码位 FSSELx时钟选择位 FNx分频比 分频值等于FN+1 两个例子 #include msp430x14x.h #include BoardConfig.h void Write_A(uchar value); void Copy_A2B(void); void main( void ) { // Stop watchdog timer to prevent time out reset WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; BoardConfig(0xb8); FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Select source uchar value = 0; for(;;) { Write_A(value++); //Write data to segment A Copy_A2B(); //Copy data from segment A to segment B _NOP(); } } void Write_A(uchar value) { uchar i; uchar *Flash_ptr; Flash