模拟电子线路2.4晶体3极管的伏安特性曲线.pptVIP

2.4 晶体三极管伏安特性曲线 伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。 IB= f1E ( VBE ) VCE = 常数 IC= f2E ( VCE ) IB = 常数 共发射极 输入特性： 输出特性： + - T VCE IB VBE IC + - 输入特性曲线 VCE =0 IB /?A VBE /V VBE(on) 0.3V 10V 0 V(BR)BEO IEBO +ICBO VCE一定： 类似二极管伏安特性。 VCE增加： 正向特性曲线略右移。 由于VCE=VCB+VBE WB? WB E B C 基区宽度调制效应 注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。 因此当VBE一定时： VCE??VCB?? ? 复合机会? ? IB ? ?曲线右移。 输出特性曲线 饱和区（ VBE? 0.7V，VCE0.3V ） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 IC不受IB控制，而受VCE影响。 VCE略增，IC显著增加。 输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 放大区（ VBE? 0.7V， VCE0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点 条件 发射结正偏 集电结反偏 VCE??曲线略上翘 具有正向受控作用 满足IC=? IB + ICEO 说明 IC /mA VCE /V 0 VA 上翘程度—取决于厄尔利电压VA 上翘原因—基区宽度调制效应（VCE?? IC略?） 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： 基宽WB越小?调制效应对IC影响越大?则?VA?越小。 ? 与IC的关系： IC 0 ? 在IC一定范围内?? 近似为常数。 IC过小?使IB??造成? ?。 IC过大?发射效率? ?造成? ?。 考虑上述因素，IB等量增加时， IC VCE 0 输出曲线不再等间隔平行上移。 截止区（ VBE? 0.5V， VCE ? 0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 IC ? 0，IB ? 0 近似为IB≤0以下区域 严格说，截止区应是IE = 0即IB = -ICBO以下的区域。 因为IB 在0 ? -ICBO时，仍满足 击穿区 特点： VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。 V(BR)CEO 集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。 注意： IB = 0时，击穿电压为V(BR)CEO IE = 0时，击穿电压为V(BR)CBO V(BR)CBO V(BR)CEO IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 IB = -ICBO (IE = 0) V(BR)CBO 三极管安全工作区 IC VCE 0 V(BR)CEO ICM PCM 最大允许集电极电流ICM （若ICICM ?造成 ? ?） 反向击穿电压V(BR)CEO （若VCEV(BR)CEO ?管子击穿） VCEV(BR)CEO 最大允许集电极耗散功率PCM （PC= IC VCE，若PC PCM ?烧管） PCPCM 要求 IC? ICM