电子技术项目教程06三极管管脚的判断和电流放大特性检测.pptVIP

三极管内部载流子的传输与电流分配 * * 【例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。 解题方法： （1）晶体管处于放大状态时，发射结正向偏置，集电极反向偏置，则三管脚中，电位中间的管脚一定是基极。 （2）在放大状态时，发射结UBE约为0.6V～0.7V或0.2V～0.3V。如果找到电位相差上述电压的两管脚，则一个是基极，另一个一定是发射极，而且也可确定管子的材料。电位差为0.6V～0.7V的是硅管，电位相差0.2V～0.3V的是锗管。 三极管内部载流子的传输与电流分配 * * 【例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。 解题方法： （3）剩下的第三个管脚是集电极。 （4）若该晶体管是NPN型的，则处于放大状态时，电位满足UCUBUE；若该晶体管是PNP型的，则处于放大状态时，电位满足UCUBUE。 三极管内部载流子的传输与电流分配 * * 【例2-1】一个处于放大状态的晶体管，用万用表测出三个电极的对地电位分别为U1=-7V，U2=-1.8V，U3=-2.5V。试判断该晶体管的管脚、管型和材料。 解：（1）将三个管脚从大到小排列：U2=-1.8V，U3=-2.5V，U1=-7V。可知③脚为基极。 （2）因为U2-U3=[(-1.8)-(-2.5)]=0.7（V），所以该管为硅材料晶体管，而且②脚为发射极。 （3）①脚为集电极。 （4）因为晶体管处于放大状态时，电位满足UCUBUE，所以该管为PNP型。 实训流程： （1）按图画好电路。 （2）在基极回路中串接入1mΩ（0.001Ω）的取样电阻。 （3）对图所示电路中的节点3进行直流扫描，可间接得到三极管的输入特性。 * * （4）图所示为三极管2N2923的输入特性扫描分析曲线，其中横坐标表示三极管基极电压的变化，纵坐标表示1mΩ电阻上电压的变化，将纵坐标电压的变化除以取样电阻阻值，就可转化为基极电流的变化（1nV电压对应与1μA电流），即三极管2N2923的输入特性曲线。 画一画 根据仿真结果，画出二极管2N2923的输入特性曲线。 输入特性曲线 共射输入特性曲线 当UCE1V 时输入特性基本重合 输入特性形状与二极管伏安特性相似 发射极电压UBE死区电压时，进入放大状态。 UBE略有变化，IB变化很大。 * * 2. 晶体管的共射输入特性曲线 实训流程： （1）按图画好电路。 （2）在集电极回路中串接入1mΩ（0.001Ω）的取样电阻。 （3）对图所示电路中的节点5进行直流扫描，可间接得到三极管的输出特性。 * * （4）图所示为三极管2N2923的输出特性扫描分析曲线，其中横坐标表示三极管基极电压的变化，纵坐标表示1mΩ电阻上电压的变化，将纵坐标电压的变化除以取样电阻阻值，就可转化为基极电流的变化（1μV电压对应与1 mA电流），即三极管2N2923的输出特性曲线。 画一画 根据仿真结果，画出二极管2N2923的输出特性曲线。 输出特性曲线 三极管的输出特性曲线 IB＝60μA为例： UCE＝0V 时，集电极无收集作用，IC＝0； UCE IC 当UCE1V后，收集电子能力足够强。 发射到基区的电子都被集电极收集，形成IC。 UCE再增加，IC基本保持不变。 * * 3. 晶体管的共射输出特性曲线 ① 截止区 （a）发射结和集电结均反向偏置； （b）不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； （c）集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 ② 放大区 （a）发射结正偏，集电结反偏； （b）IC=βIB； （c）NPN型硅管，UBE ≈ 0.7V；锗管， UBE ≈ 0.2V。 三极管的输出特性曲线 输出特性曲线 * * ③ 饱和区 （a）发射结和集电结均正向偏置； （b）三极管的电流放大能力下降，通常有ICβIB； （c）此时UCE值很小，称三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； （d）集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 三极管的输出特性曲线 * * 输出特性曲线 【例2-2】已知某NPN型锗晶体管，各极对地电位分别为UC=-2V，UB=-7.7V，UE=-8V。试判断三极管处于何种工作状态？ 解题方法： （1）发射结正偏时