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电沉积法制备Bi2S3薄膜研究.PDF
38 4 人 工 晶 体 学 报 V o.l 38 N o. 4
2009 8 JOURNA L OF SYNTHET IC CRY STAL S A ugu st, 2009
B i S
2 3
1 1, 2 1 2 2 1
王 艳 , 黄剑锋 , 曹丽云 , 曾燮榕 , 熊信柏, 吴建鹏
1. , 7 1002 1;
2. , 5 18060 )
: ITO B i S , X XRD ) AFM )
2 3
pH :
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B i S , B i S O ; pH = 6. 5, 20 m in,
2 3 2 3
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2 3
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: TQ135. 32 : A : 1000985X 2009) 0409 1604
P reparation of B i2 S3 Th in F i lm s by E lectrodeposition M ethod
1 1, 2 1 2
WAN G Yan , H UAN G J ianf eng , CAO L iyun , ZEN G X ierong ,
2 1
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1. K ey Laboratory of A ux iliary Chem istry T echnology for C hem ical Industry, M in istry of Edu cation, Shaanx i U n iversity of Science T ech
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