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电沉积法制备Bi2S3薄膜研究.PDF

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电沉积法制备Bi2S3薄膜研究.PDF

38 4 人 工 晶 体 学 报 V o.l 38 N o. 4 2009 8 JOURNA L OF SYNTHET IC CRY STAL S A ugu st, 2009 B i S 2 3 1 1, 2 1 2 2 1 王 艳 , 黄剑锋 , 曹丽云 , 曾燮榕 , 熊信柏, 吴建鹏 1. , 7 1002 1; 2. , 5 18060 ) : ITO B i S , X XRD ) AFM ) 2 3 pH : 3+ 2 B i S , B i S O ; pH = 6. 5, 20 m in, 2 3 2 3 1 V, , 240) B i S , 2 3 ; pH , , : B i S ; ; pH 2 3 : TQ135. 32 : A : 1000985X 2009) 0409 1604 P reparation of B i2 S3 Th in F i lm s by E lectrodeposition M ethod 1 1, 2 1 2 WAN G Yan , H UAN G J ianf eng , CAO L iyun , ZEN G X ierong , 2 1 X I ONG X inbo , WU J ianp eng 1. K ey Laboratory of A ux iliary Chem istry T echnology for C hem ical Industry, M in istry of Edu cation, Shaanx i U n iversity of Science T ech

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