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用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作及端头磁针尖设计

第23卷 第 10期 传 感 技 术 学 报 Vo1.23 No.10 2010年 1O月 CHINESE JOURNALOF SENSORSAND ACTUATORS 0et.2010 Fabrication ofUltra-SensitiveCantileverforSingleElectron Spin Detection andDesign ofM agneticTip Yong,ZHAOGang,CHEN Yuhang,KONGWen,CHUJiaru (DepartmentofPrecisionMachineryandPrecisionInstrumentation,UniversityofScienceandTechnologyofChina,Hefei230027,China) Abstract:Wehavedesignedandfabricatedtheuhra-sensitivecantileversforsingleelectronspindetection.A SO1 waferwitha1lxm.thickdevicelayerwasusedasthefabricationmateria1.Thecantileverswerepatternedonthede— vicelayer,andthenthinnedto0.5p.m—thickthroughthermaloxidation;meanwhile,anoxideprotectionlayerofr cantileverwasgenerated.Duringthebulksiliconetching,thecantileverwasprotectedbyblackwaxandthesilicon oxide.Theburiedoxidelayeretchingandthecantilevercleaningwerebothunderliquidwithoutpullingitout.The Qfactorofacantileverwith465Ixm ×10 m ×0.5 mdimensionsis23000inavacuumchamberatroomtemper— ature.Itisbelievedthatthecantileverissensitiveenoughofrsinglespindetectionatlow temperature.Wesimula— tedthemagneticfieldofthreetypesofmagnettips,andfoundthataconicalmagnettip showsthestrongestfield gradientatthenearfield. Keywords:MRFM ;cantilever;magnetictip;electronspin EEACC:2575F;3120E doi:10.3969/i.issn.1004—1699.2010.10.007 用于单电子自旋探测微悬臂梁的制作及端头磁针尖设计木 刘 勇,赵 钢,陈宇航 ,孔 雯,褚家如 (中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥 230027) 摘 要 :提出一种用于单电子 自旋探测微悬臂梁的制作方法。采用顶层 厚度为 1m的SOI硅片,在器件层刻蚀出悬臂梁 图形后,利用热氧化将 si梁减薄至0.5I,Lm,同时生成 SiO保护层。在KOH溶液进行体硅刻蚀过程中,以黑蜡和SiO:保护层 作为正面保护,之后用溶液置换方法完成埋氧层去除及悬臂梁清洗过程。悬臂梁尺寸为465txm×10 mX0.5 m,室温真空 中Q值为23000,在低温环境中可以满足单电子自旋探测要求。分析比较了球体、圆锥体 、圆柱体三种磁针尖磁场梯度分布, 为磁针尖结构设计提供了依据。 关键词 :磁共振力显微镜;悬臂梁;磁针尖;电子白旋 中图分类号:TP2,12 文献标识码 :A 文章编号 :1004—1699(2010)10—1399—04 磁共振成像是一种重要 的三维观察技术 。 高灵敏度的微悬臂梁设计及制作,对提高磁共振力 典型的核磁共振仪最小成像极 限为 10 个核 自 显微镜的探测分辨率有着重要意义。

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