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* 第三章 光电信息转换 上一页 下一页 回首页 回末页 结束 第三章 ? ? ? ? ? §3.2.2 电荷耦合器（CCD） 回目录 * CCD它具有结构简单，基础度高，制造工序少，功耗低，信噪比好等优点。CCD有线阵和面阵二种，CCD是一种半导体集成器件，它由MOS光敏元、移位寄存器、电荷转移栅等部分组成。一．MOS光敏元的工作原理 所谓MOS结构；一般都以硅作为半导体衬底，在其上热生长一层二氧化硅(SiO2)，并在二氧化硅上面淀积具有一定形状的金属层。因为它是由金属(M)—氧化物(O)—半导体(S)三层所组成，故称MOS结构。 二．移位寄存器 移位寄存器由金属电极、氧化物介质及半导体三部分组成，也是MOS结构，它不能使它受光照射，应防止外来光线的干扰。 上一节 三．光敏单元中的电荷向移位寄存器转移  现在来说明光敏单元中的电荷是怎样转移(读出)至移位寄存器的。 如图，光敏区中产生的电荷，由转移门Z控制转移至a1、a2、----an极下的势阱。但如何解决光敏区中的光敏单元数与移位 寄存器的传输单元数相等，而转移电极2只有一个矛盾呢?现以A-A截面的电极为例进行分析。把A-A截面的电极旋转900后画于图3.2.2-5。 由图中可看出，从t0到t2光敏单元a1中的电荷已转移至a1极下的势阶。同理，光敏单元a1、a2…an中的电荷同时转移至 a1、a2…an极下的势阱。这是一个平行转移的过程。 由于t2以后转移电极Z上的电压恢复为零，相当于把光敏区和移位寄存器之间的“门”阻塞。自t3以后，光敏单元又重新进行光积累(光积分)， §3.2.2 电荷耦合器（CCD） 移位寄存器a1、b1 、c1；a2、b2 、c2；---- an、bn 、cn等进行移位(电荷传输)，各自执行自己的任务。 光敏单元a1中的电荷不移至b1和c1极下，是靠制造适当的沟道及b1、c1极上加适当的电压来实现的。当t＝t 1时，转移电极Z上加正脉冲，这时Ua＝U，Ub＝0，Uc＝0，即这时b1、c1极下不产生势阱，因此a1中的电荷沿沟道转移至a1极下的势阱。 上述光敏区中的电荷信号靠移位寄存器传输给输出二极管读出，故移位寄存器一般称它为读出寄存器。 四．面阵CCD 面阵CCD是按图象信息的处理要求而输出信号的。面阵CCD实际上是由许多线阵CCD排成二维形式，它主要用于电视摄像中。 面阵CCD也可以用作固体摄像传感器来测量各种几何量，俗称摄像测量。 五．CCD输出信号的处理方式 CCD输出信号一般为负极性视频信号，对CCD输出信号的处理方式很多，以下是几种典型的用于检测和控制的信号处理方式。 1．CCD－放大―二值化处理－计数。 2．CCD－放大－滤波－比较整形－高频填脉冲－计数 3．CCD－放大－同步采样保持－高速A/D转换－存储－计 算机图象处理 4．CCD－放大－滤波－变成全电视信号－存储（面阵CCD） §3.2.2 电荷耦合器（CCD） 六．CCD在动态测量直径中的应用 CCD动态测量细丝直径的原理如图3.2.2-7所示。 设所用的CCD有N0个光敏元，每个光敏元的大小为13μ，计数器计数为N，则细丝直径D为： D＝13（N0-N） * 第三章 光电信息转换 上一页 下一页 回首页 回末页 结束 第三章 ? ? ? ? ? §3.2.2 电荷耦合器（CCD） 回目录