W-15Cu电子封装材料导热性能的研究.pdfVIP

学兔兔 第27卷第6期 粉末冶金技术 V01．27．No．6 2009年 12月 Powder Metallurgy Technology Dee．2oo9 W．15Cu电子封装材料导热性能的研究木 姜国圣一 王志法 何 平 陈德欣 (中南大学材料科学与工程学院，有色金属材料科学与工程教育部重点实验室，长沙 410083) 摘 要： 研究了熔渗温度、退火温度及退火冷却速度对 w．15Cu电子封装材料导热性能的影响，试验结果表 明退火能改善w．15cu电子封装材料的导热性能，经850~C退火随炉冷的导热性能稳定在 190W／(m·K)左 右；w．15Cu电子封装材料界面残余应力的大小是影响材料导热性能的重要因素之一，残余应力越大，材料导 热性能越差；W一15Cu电子封装材料随熔渗温度升高，导热系数增加，熔渗温度在 1 400℃时的导热性能最好。 关键词：钨铜材料；导热性能；退火；冷却速度；残余应力 The reasearch on the property of thermal conductivity 0f W．15CU heat sink Jiang Guosheng，Wang Zhifa，He Ping，Chen Dexin (School of M aterial Science and Engneering，Central South University，Changsha 4 1 0083，China) Abstract：The effects of infiltrating temperature，annealing temperature and the cooling speed of annealing process on the property of thermal conductivity(TC)of W一1 5Cu heat sink were carefully investigated in this paper．The results show that：the value of thermal conductivity can be obviously improved after annealing process．The residual stresses plays a key role on the TC of W一1 5 Cu which is reduced with the increase of the residual stresses．At the same time， TC is increased when increasing the infiltrating temperature． Key words：W一1 5 Cu；TC；annealing；cooling speed；residual stresses 随着半导体芯片的集成度越来越高，单位面积 其有较大影响 。并且在生产过程中发现，即使 的发热量越来越大，这就要求封装材料具有更好的 同一批次的产品导热性能相差都较大，这说明制备工 导热性能。W．Cu复合材料是由W 、Cu为主组成的 艺对钨铜电子封装材料的导热性能影响很大，特别是 两相结构假合金，Cu具有高导电导热性，w具有低 w和cu热膨胀系数相差过大，在冷却过程中w基体 膨胀性及高温强度，通过调整材料成分