微波合成Mg2Si（1-x）Snx热电固溶体.pdfVIP

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2017-05-17 发布于河南
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微波合成Mg2Si（1-x）Snx热电固溶体.pdf

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微波合成Mg2Si（1-x）Snx热电固溶体

学兔兔第 l7卷第4期粉末冶金材料科学与工程 2012年 8月 Vo1．17No．4 M aterialsScienceandEngineeringofPowderM etallurgy Aug．2012 微波合成Mg2SilS 热电固溶体周书才，杜长坤，符春林 (重庆科技学院冶金与材料工程学院，重庆 401331) 摘要：为了解决传统方法制备Mg2SilS (0_x_S1．0)固溶体过程中带来Mg的氧化和挥发等问题，引进微波低温合成法制备 MgzSi1S 热电固溶体，用 XRD及 SEM 分析手段对合成的块体的物相和形貌进行表征，并研究 Mg2Si1一Snx化合物的热电特性和在微波场中的加热特性以及合成工艺对Mg2Sil一S 压坯制备的影响。结果表明： Mg2SilS 压坯在微波场中的加热升温曲线与Mg2Sil～s 压坯密度相关，随压坯密度增大，升温速率降低；XRD 分析表明在微波辐射下 Mg2Sil一s 形成了良好的固溶体；在测试温度范围内，Mg2Si1S 在 500K温度下最高的z 值达到O．26。关键词：Mg2SilS ；固溶体；低温固相反应法；微波合成中图分类号：TM23 文献标识码：A 文章编号：1673—0224(2012)4．475．07 SynthesisofM g2Sil．Snxthermoelectricsolidsolutionsby microwaveirradiation ZHOU Shu—cai，DU Chang-kun，FU Chun—lin (SchoolofMetalluryg nadMaterialEngineering，ChongqingUniversityofscienceandTechnology， Chongqing401331，China) Abstract：In ordertoreduce也eoxidizingandvolatilizing causedbyMg elementin thetraditiona1mehtodsfor synthesizingMg2Sil-xSnx(O_x_51．0)solidsolutions，microwaveirradiationtechniqueshavebeenusedinpreparingthem asthermoelectricmaterialsandthermoelectricpropertiesofM g2Sil-xSnxwerestudied．TheheatingbehaviorofMg，Si andSnfixedpowderwasinvestigatedundermicrowaveirradiation．X—raydiffraction(XRD)andSEMwerealsousedto characterizethepowders．Theresultssuggestthatthetemperature—risingrateisdependentontheinitialdensiyt ofthe compactandhighercompactdensiytprovideslowerheatingratewhilepowersettingraefixed．X—raydirffaction(XRD) pattemsshow htatM g2Sil-xSnxsolid solutionshavebeen wellformed un dermicrowaveirradiation．Themaximum