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学兔兔 第 19卷第 5期 粉末冶金材料科学与工程 2014年 lO月 Vo1．19No．5 M aterialsScienceand EngineeringofPowderMetallurgy 0ct．2014 温度对CVD制备Ti．Si．C涂层中Ti3SiC2 形成规律的影响 杨钢宜，李国栋，熊 翔，王雅雷，王 骏 (中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083) 摘 要：采用TiCh．CH3SiC13．H2．Ar反应体系，低压化学气相共沉积(LPCVD)Ti．Si—C三元体系涂层。采用XRD、 SEM、EDS和EPMA分析在 1100～1250℃不同温度下制备的涂层物相组成和形貌结构。结果表明：1100℃时 形成TiC涂层，无Ti3SiC2相；1150-1250℃时形成TiC与Ti3SiC2复合涂层。当沉积温度为 1200℃时，Ti3SiC2 晶粒沿(104)方向择优生长，而在 1150℃和 1250℃沉积时，择优取向不明显。1150℃时涂层为多孔细柱和颗粒 堆积嵌合结构，当温度为 1200～1250℃时，涂层分为两层，内层过渡层为柱状晶结构，主要成分为TiC；外层为 TiC相与Ti3SiC2相复合的板条错堆状结构。 关键词：化学气相沉积；Ti—Si．C；Ti3SiC2；共沉积；温度 中图分类号：TB332 文献标识码：A 文章编号：1673—0224(2014)5—0797-08 Effectoftemperatureontheformationlaw ofTi3SiC2in CVD preparedTi—S·i--C codepositedcoating YANG Gang—yi，LIGuo-dong，XIONGXiang，WANG Ya-lei，WANG Jun (StateKeyLaboratoryofPowderMetallurgy,CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：Takingthereactivesystem ofTiCh—CH3SiC13一H2一Ar，hteTi-Si—C ternarycoatingwasobtainedbyLPCVD． Thechangesofphasecomposition，morphologyandstructureofthecoatingmadeat1100~1250℃ ，wereexaminedby X—raydiffraction，SEM，EDSna dEPMA．Theresultsshow thathtecoatingofTiC isformedat1100℃ withoutTi3SiC2 whilebetween1l50℃ and1250℃ thecoatingismainlycomposedofTiC nadTi3SiC2．Thegrainpreferredorientation ofTi3SiC2isalongthe(104)crystalplaneat1200℃whilergowsirregularlyat1150℃and1250℃．Thecoatinghas thestructureoftheporousfinecolumnandparticleaccumulatedandfittedtogetherat1150℃．W henhtetemperatureis between1200℃ and1250℃．thecoatingisdividedintowtolayers．andtheinnertrnasitionlayerofcolumnarcry